[发明专利]一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法有效

申请号：	201510741988.1	申请日：	2015-11-04
公开（公告）号：	CN106647164B	公开（公告）日：	2020-04-14
发明（设计）人：	徐飞;郭贵琦;金海涛;葛海鸣;巫轶骏;沈健;陈帅;王然	申请（专利权）人：	常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	G03F1/80	分类号：	G03F1/80;G03F1/82
代理公司：	上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230	代理人：	章鸣玉
地址：	213000 江苏省常州***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备，尤其涉及在光掩模的制造蚀刻工艺中避免在蚀刻液输送管路中产生结晶物的方法及其管路结构，包括以下步骤：向蚀刻液输送管路送入蚀刻液，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水；连续输送蚀刻液，完成被蚀刻工件的蚀刻工艺；向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻液；用纯水替代蚀刻液输送管路第二阀门C口之后至喷嘴段的蚀刻缓冲液。能够有效地预防蚀刻液输送管路的结晶，避免结晶物影响后续蚀刻工艺和掩膜版成品质量，节省定期清洗浪费的时间，提高蚀刻工艺的稳定性和可靠性，保持生产过程的连贯性。
搜索关键词：	一种避免蚀刻输送管路结晶方法
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摘要：本发明公开了一种可精确控制蚀刻偏差的光罩蚀刻用定位装置，包括定位底座，以及固定安装于定位底座底面左右两侧的移动导轮；所述定位底座的顶面中部固定连接于导向滑杆的中部；还包括：定位底座的内部上方通过轴承横向转动设置有导向螺纹杆；其中，定位底座的内部下方固定设置有驱动机构，且驱动机构的内部中心位置处通过轴承转动设置有主动齿轮；其中，定位底座内部导向螺纹杆的中部通过锥形齿轮啮合连接于驱动机构内部主动齿轮的顶面中部。该可精确控制蚀刻偏差的光罩蚀刻用定位装置，通过定位底座顶面的夹持机构以及夹持框架带动蚀刻板左右两侧限位的同时并下降，同时通过锁止滑杆对蚀刻板的前后两侧进行限位。

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摘要：本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7)，所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状，所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时，相比第1区域(D1)内的透过率，第2区域(D2)内的透过率高。

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摘要：本实用新型涉及显示面板制造设备技术领域，提供一种掩膜版、光刻设备及显示面板，上述掩膜版包括刻蚀区和衍射区，衍射区设于刻蚀区与保留区之间，并且衍射区环绕刻蚀区设置；采用上述掩膜版对显示面板的阵列基板进行刻蚀，通过环绕刻蚀区设置衍射区，曝光光束照射至掩膜版的衍射区并形成衍射现象，使照射到阵列基板的导电过孔的孔壁的曝光光束的通光量自刻蚀区朝保留区方向逐渐变化，使阵列基板的导电过孔的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板的导电过孔的孔壁坡度，有效避免阵列基板的导电过孔的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板的显示效果。

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摘要：本实用新型公开了一种用于掩膜版手动制程的装置，解决了目前手动制程中手与掩膜版直接接触易造成污染且容易滑脱、单次只能对一个产品进行蚀刻、计时不便的问题。本实用新型包括：计时器，用于蚀刻计时；框架，框架具有若干安置槽体，安置槽体内相对的槽壁上分别开设有与掩膜版边沿适配的卡槽；与框架连接的助握臂，助握臂上设置有通信连接于计时器的传感器；工作状态下，助握臂被手部握持，当手部改变传感器监测状态时，传感器与计时器进行通讯以使计时器开始计时或结束计时。本实用新型具有单次蚀刻流程中同时对多个或多类掩膜版进行蚀刻、避免人手与掩膜版直接接触、便于计时等优点。

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摘要：本发明属于掩模版制造技术领域，尤其涉及一种凹槽掩模版的制作方法，包括：预备基板：预备透光基板，其中，透光基板具有图形板面；开槽加工：在所述图形板面上加工出圆环状的凹槽；镀铬涂胶：在所述图形板面以及所述凹槽的槽壁、槽底上先镀铬层，再涂光刻胶层；光刻处理：先曝光再显影，使所述铬层呈现出预设图形结构。本发明相对于现有技术，降低了加工凹槽对产品良率的影响，提高了产品良品率。

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申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F1/80
摘要：本实用新型公开了一种基于双曝光刻蚀的高压斜坡场板用光刻版，其由第一灰度光刻版和第二灰度光刻版组成；第一灰度光刻版、第二灰度光刻版上对应于斜坡场板的区域分别划分有均匀的面积均为S的n个边长为A的正方形栅格，在各个栅格中心对铬层开设有孔，对于第一灰度光刻版、第二灰度光刻版上的第m栅格，铬层分别开设有边长为Bm、Cm的正方形孔。采用本实用新型提供的灰度光刻版制备斜坡场板，能够简化工艺步骤，降低工艺难度和成本，使用较少的工艺步骤和成本实现斜坡场板制作，同时相对于一次曝光，双曝光能够增加对斜坡场板范围与梯度的选择。本实用新型属于半导体集成电路制造技术领域，适用于制作斜坡场板。

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摘要：本发明提供一种掩膜版、半导体器件的制造方法。掩膜版用于半导体器件的光刻，半导体器件包括依次层叠的衬底、堆叠结构及光阻层，衬底包括器件区及位于器件区外围的切割道区。掩膜版设有多个第一图案，第一图案用于在器件区的光阻层内形成开口，掩膜版还设有多个第二图案，第二图案用于在切割道区的光阻层内形成开口。其中，每一第一图案和每一第二图案的形状、大小相同，多个第一图案的排布密度大于多个第二图案的排布密度。当以光刻后的光阻层为掩膜对半导体器件的堆叠结构进行刻蚀时，通过监测第二图案对应的开口是否缩小至小于预设阈值，即可实现对刻蚀副产物的监控，有利于提高半导体器件的生产良率。

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发明人：苏日荣;黄鑫 -专利权人：薛俊治
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F1/80
摘要：本发明涉及硅晶片制备装置技术领域，公开了电源芯片生产用硅晶片正性光致抗蚀剂蚀刻设备及工艺，通过温度传感器的设置能够对抗蚀剂进行温度检测，当温度过低时加热丝开始对抗蚀剂进行加热，增强了抗蚀剂本身的活性，从而使得喷出的抗蚀剂能够夹块硅晶片蚀刻的速度，两个定位仪对硅晶片进行检测，当检测到硅晶片的时候，定位仪通过传导线将信号传入位置处理器内，中央控制器通过间歇导线启动液体泵，使得进液管将积液箱内的抗蚀剂排进液体泵内，经过液体泵的增压作用将抗蚀剂排挤出液管内，最后经过多孔喷头喷洒在硅晶片上，当定位仪检测不到硅晶片的时候，液体泵停止工作，从而实现间歇式喷洒，防止持续喷洒造成抗蚀剂浪费。

光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法-202011181868.8
发明人：何建芳;韦亚一;张利斌;高澎铮;张双 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G03F1/80
摘要：本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法，包括以下步骤：将待优化的斜线图形朝第一旋转方向旋转，直至每根线条处于X方向或者Y方向，得到第一图形，进行光源优化处理，得到第一优化光源；对所述斜线图形进行均匀规则的曼哈顿台阶化处理，以将每根线条的两侧直线式边缘处理成均匀规则的曼哈顿台阶，得到第二图形；将第一优化光源朝第二旋转方向旋转，得到第二优化光源；将所述第二图形作为初始掩模图形，使用第二优化光源对其进行掩模优化处理。本申请的优化方法可以得到更好的工艺窗口和更好的曝光结果，从而降低了斜线评估方法带来的困扰。

光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法-202010221760.0
发明人：山口昇 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G03F1/80
摘要：提供光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法，提供可形成尺寸精度高的转印用图案的光掩模制造方法，其包括：准备在透明基板上依次形成有光学膜和抗蚀剂膜的光掩模基板的工序；初期显影工序，通过描绘、显影而在抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案；预备蚀刻工序，以抗蚀剂图案为掩模，对光学膜实施蚀刻，形成由光学膜得到的预备图案；追加显影工序，在由预备蚀刻工序形成的预备图案的边缘的至少一部分处于与抗蚀剂图案对应的区域内的状态下，对抗蚀剂图案实施追加显影，使抗蚀剂图案边缘后退，使预备图案边缘露出；测定工序，测定预备图案规定部位的尺寸；和追加蚀刻工序，基于测定工序中测定的尺寸确定追加蚀刻量，进一步蚀刻光学膜，形成确定图案。

一种实现10nm及以下分辨力的超分辨光刻工艺方法-202010354560.2
发明人：罗先刚;高平;蒲明博;李雄;马晓亮 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G03F1/80
摘要：本发明公开了一种实现10nm及以下分辨力的超分辨光刻工艺方法，包括：步骤S1：首先制备包含牺牲材料层、硬掩模层、超衍射材料层、感光层在内的多层结构，并通过超分辨光刻工艺获得80nm‑44nm周期的初始光刻胶图形；步骤S2：其次以步骤S1获得80nm‑44nm周期的初始光刻胶图形作为掩模，采用高保真度的等离子体刻蚀工艺实现初始光刻胶图形的纵向深度放大，形成高深宽比的“核”图形；步骤S3：接着再使用四重自对准工艺，通过两次重复保形生长‑刻蚀步骤，将“核”图形的初始分辨力提高四倍；步骤S4：经过清洗和检测，得到10nm及以下分辨力的图形结构。本方法加工效率高，受加工系统的影响小。大大降低的掩模制造的难度。本方法可实现任意纳米图形结构的加工。

一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构-201811047914.8
发明人：包文中;郭晓娇;周鹏;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G03F1/80
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体为一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构。本发明的通孔掩膜版分体图形结构，以双面抛光的硅片为基底，包括正面图形和反面图形；正面图形包括从整体图形中分离的带有对准标记的高精度图形和带有对准标记的低精度图形，或者为分别带有对准标记多组不同精度的图形；反面图形，为涵括正面所有图形的方形，用于整体厚度减薄；通孔掩膜板在加工过程中，高精度图形和低精度图形先后使用，通过两者相同的对准标记进行位置对准，来完成整体图形的加工。本发明设计的高精度硅基掩膜版设计图形结构，具有机械强度高、重复使用性高、成本低、图形设计自由灵活等优势，能满足各领域对高精度通孔掩膜版的需求。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法有效

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