[发明专利]互补金属氧化物半导体装置及制造方法

摘要

一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置，包括：P型晶体管与N型晶体管，该P型晶体管与N型半导体分别包括源极、漏极及设置于源、漏极之间的半导体层；至少一用于控制该P型晶体管与N型晶体管的栅极。该P型晶体管的半导体层包括具有第一离子掺杂浓度的第一倾角部与具有第二离子掺杂浓度的第一平坦部；该N型晶体管的导体层包括具有第三离子掺杂浓度的第二倾角部、第四离子掺杂浓度的第二平坦部及位于第二倾角部与第二平坦部之间具有第五离子掺杂浓度的第三平坦部；且第一、第二、第四、第三、第五离子掺杂浓度依次增大。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置，包括：一P型金属氧化物半导体晶体管，包括：第一源极、第一漏极、及设置于第一源极与第一漏极之间的第一半导体层；一N型金属氧化物半导体晶体管，包括：第二源极、第二漏极、及设置于第二源极与第二漏极之间的第二半导体层；至少一用于控制该P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；其特征在于，第一半导体层包括具有第一离子掺杂浓度的第一倾角部与具有第二离子掺杂浓度的第一平坦部；第二半导体层包括具有第三离子掺杂浓度的第二倾角部、第四离子掺杂浓度的第二平坦部及位于第二倾角部与第二平坦部之间具有第五离子掺杂浓度的第三平坦部；且第一离子掺杂浓度小于第二离子掺杂浓度，第二离子掺杂浓度小于第四离子掺杂浓度，第四离子掺杂浓度小于第三离子掺杂浓度，第三离子掺杂浓度小于第五离子掺杂浓度。