[发明专利]一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法有效
| 申请号： | 201510408173.1 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105019028B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李明;王晶云;李侃;邢英杰;徐洪起 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/62;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意义。同时本发明对深入了解和研究孪晶超点阵纳米线的成核生长机制有十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 形貌 晶体结构 制备 有效地控制 载气流速 点阵 低成本 可控性 有效地 生长 成核 孪晶 参考 研究 | ||
【主权项】：
1.一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，包括：1)对InAs粉末进行加热使其分解得到前驱物In原子和As原子；2)通过载气将前驱物运输到表面附着有催化剂的衬底上并在衬底上进行沉积，在催化剂的作用下诱导生长出InAs单晶纳米线，所述衬底选自硅(100)，硅(111)或二氧化硅/硅；3)通过使用不同的载气流速生长出不同形貌和晶体结构的InAs纳米线：先使用低的载气流速50‑80sccm，将源温度在850±10℃下恒温30±10分钟，再将载气流速变成180‑200sccm，继续在850±10℃下恒温30±10分钟之后生长了单晶混合型InAs纳米线，纳米线的一部分是类型一，另一部分是类型二，类型一为直径均一，表面光滑，没有堆叠层错的InAs纳米线，长度分布2‑6μm，直径分布为70‑150nm，晶体结构是闪锌矿结构；类型二为表面锯齿形的孪晶超点阵InAs纳米线，长度分布4‑8μm，直径分布60‑140nm，晶体结构是孪晶对称的闪锌矿结构。
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