[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型MIS-HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510161362.3 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN106158947B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 | 申请（专利权）人： | 苏州能屋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法。该器件包括源、漏、栅极以及异质结构，源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，兼作为栅介质层的能量阻挡层形成于第二半导体表面，同时能量阻挡层和第二半导体内还设有用以耗尽异质结构内的相应沟道中二维电子气的离子注入区，栅极设置在位于离子注入区上方的能量阻挡层表面，且还与能量阻挡层和第二半导体形成MIS结构，同时栅极还将离子注入区完全遮掩。本发明可以实现低栅漏电、低导通电阻的Ⅲ族氮化物增强型MIS‑HEMT器件，且工艺简单，成本低廉，易于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 增强 mis hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ⅲ族氮化物增强型MIS‑HEMT器件，包括源极、漏极、栅极以及异质结构，所述源极与漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；其特征在于它还包括能量阻挡层，所述能量阻挡层形成于所述第二半导体表面，同时所述能量阻挡层和第二半导体内还设有用以耗尽所述异质结构内的相应沟道中二维电子气的离子注入区，所述栅极设置在位于所述离子注入区上方的能量阻挡层表面，且所述栅极还与所述能量阻挡层及第二半导体形成金属‑绝缘层‑半导体结构，同时所述栅极还将所述离子注入区完全遮掩，所述离子注入区是第二半导体内的局部区域和能量阻挡层内的局部区域经离子注入后形成的带固定负电荷的区域，其中注入的离子包括氟离子或氮离子。
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