[发明专利]晶圆级封装结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种晶圆级封装结构及制作方法，其包括晶圆芯片，在所述晶圆芯片的正面上设有晶圆焊盘；在所述晶圆芯片的正面上通过塑封盖压盖塑封有功能芯片，所述功能芯片通过引线与晶圆芯片正面上的表面导电电极电连接，所述表面导电电极位于芯片表面导线层的一端且通过所述芯片表面导线层与晶圆焊盘电连接；在塑封盖的外表面上设有连接导电电极，所述连接导电电极通过塑封盖内的导电柱与表面导电电极以及功能芯片电连接，在连接导电电极上焊接有导电焊球，所述导电焊球与连接导电电极电连接。本发明封装结构紧凑，能实现多芯片的晶圆级封装且能实现SIP封装，提高了封装的适用范围，安全可靠。

主权项

一种晶圆级封装结构的制作方法，其特征是，所述封装结构制作方法包括如下步骤：（a）、提供具有若干晶圆芯片（2）的晶圆体（1），在所述晶圆芯片（2）的正面上具有晶圆焊盘（3）；（b）、在晶圆芯片（2）的正面设置芯片表面导线层（5），所述芯片表面导线层（5）的一端全覆盖在晶圆焊盘（3）上，芯片表面导线（5）的另一端形成表面导电电极（6），表面导电电极（6）通过芯片表面导线层（5）与晶圆焊盘（3）电连接；（c）、在上述晶圆芯片（2）的正面设置表面钝化层（7），所述表面钝化层（7）覆盖在晶圆芯片（2）的正面以及芯片表面导线层（5）上，表面导电电极（6）通过贯通表面钝化层（7）的表面钝化层开口（8）裸露；（d）、在上述晶圆芯片（2）正面的正上方设置所需的功能芯片（9），所述功能芯片（9）支撑在表面钝化层（7）上，且晶圆焊盘（3）位于功能芯片（9）的下方；（e）、将功能芯片（9）通过引线（11）与所述功能芯片（9）外侧的表面导电电极（6）连接，以使得功能芯片（9）与所述功能芯片（9）正下方的晶圆芯片（2）电连接；（f）、在上述晶圆芯片（2）的正面塑封有塑封盖（12），所述塑封盖（12）压盖在功能芯片（9）以及表面导电电极（6）上；（g）、在上述塑封盖（12）内设置通孔（13），所述通孔（13）贯通塑封盖（12）且位于表面导电电极（6）的正上方；（h）、在上述通孔（13）内填充导电柱（14），所述导电柱（14）与表面导电电极（6）电连接；（i）、在上述塑封盖（12）的外表面上设置连接导电电极（15），所述连接导电电极（15）与导电柱（14）电连接；（j）、在上述塑封盖（12）的外表面上设置外钝化层（16），所述外钝化层（16）覆盖在塑封盖（12）的外表面以及部分的连接导电电极（15）上；（k）、在塑封盖（12）的外表面上焊接导电焊球（18），所述导电焊球（18）与未覆盖外钝化层（16）的连接导电电极（15）接触并电连接；（l）、对上述晶圆体（1）进行切割，以将晶圆体（1）上的晶圆芯片（2）切割分离，得到所需的单颗晶圆封装结构。