[发明专利]晶圆级封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构的制作方法，其特征是，所述封装结构制作方法包括如下步骤：

（a）、提供具有若干晶圆芯片（2）的晶圆体（1），在所述晶圆芯片（2）的正面上具有晶圆焊盘（3）；

（b）、在晶圆芯片（2）的正面设置芯片表面导线层（5），所述芯片表面导线层（5）的一端全覆盖在晶圆焊盘（3）上，芯片表面导线（5）的另一端形成表面导电电极（6），表面导电电极（6）通过芯片表面导线层（5）与晶圆焊盘（3）电连接；

（c）、在上述晶圆芯片（2）的正面设置表面钝化层（7），所述表面钝化层（7）覆盖在晶圆芯片（2）的正面以及芯片表面导线层（5）上，表面导电电极（6）通过贯通表面钝化层（7）的表面钝化层开口（8）裸露；

（d）、在上述晶圆芯片（2）正面的正上方设置所需的功能芯片（9），所述功能芯片（9）支撑在表面钝化层（7）上，且晶圆焊盘（3）位于功能芯片（9）的下方；

（e）、将功能芯片（9）通过引线（11）与所述功能芯片（9）外侧的表面导电电极（6）连接，以使得功能芯片（9）与所述功能芯片（9）正下方的晶圆芯片（2）电连接；

（f）、在上述晶圆芯片（2）的正面塑封有塑封盖（12），所述塑封盖（12）压盖在功能芯片（9）以及表面导电电极（6）上；

（g）、在上述塑封盖（12）内设置通孔（13），所述通孔（13）贯通塑封盖（12）且位于表面导电电极（6）的正上方；

（h）、在上述通孔（13）内填充导电柱（14），所述导电柱（14）与表面导电电极（6）电连接；

（i）、在上述塑封盖（12）的外表面上设置连接导电电极（15），所述连接导电电极（15）与导电柱（14）电连接；

（j）、在上述塑封盖（12）的外表面上设置外钝化层（16），所述外钝化层（16）覆盖在塑封盖（12）的外表面以及部分的连接导电电极（15）上；

（k）、在塑封盖（12）的外表面上焊接导电焊球（18），所述导电焊球（18）与未覆盖外钝化层（16）的连接导电电极（15）接触并电连接；

（l）、对上述晶圆体（1）进行切割，以将晶圆体（1）上的晶圆芯片（2）切割分离，得到所需的单颗晶圆封装结构。

2.根据权利要求1所述晶圆级封装结构的制作方法，其特征是：所述功能芯片（9）通过焊接料层（10）设置支撑在表面钝化层（7）上。

3.根据权利要求1所述晶圆级封装结构的制作方法，其特征是：通过激光钻孔的工艺在塑封盖（12）内形成通孔（13）。

4.根据权利要求1所述晶圆级封装结构的制作方法，其特征是：所述导电柱（14）通过电镀填充在通孔（13）内。