[发明专利]具有包埋无源组件的电路板和其制造方法有效
| 申请号： | 201510127293.4 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106158814B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡丽娟;李志成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置衬底和其制造方法。所述半导体装置衬底包括第一介电层、第二介电层和电子组件。所述第一介电层包括主体部分和从所述主体部分的第一表面突出的壁部分。所述壁部分具有末端。所述第二介电层具有第一表面和相对的第二表面。所述第二介电层的所述第一表面邻接于所述主体部分的所述第一表面。所述第二介电层围绕所述壁部分。所述壁部分的所述末端延伸超出所述第二介电层的所述第二表面。所述电子组件包括第一电触点和第二电触点。所述电子组件的至少一部分被所述壁部分围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 第一表面 所述壁 电子组件 半导体装置 第二表面 电触点 衬底 电路板 末端延伸 无源组件 邻接 包埋 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置衬底，其包含：第一介电层，其包含主体部分和从所述主体部分的第一表面突出的壁部分，所述壁部分具有末端；第二介电层，其具有第一表面和相对的第二表面，所述第二介电层的所述第一表面邻近所述主体部分的所述第一表面，所述第二介电层围绕所述壁部分，所述壁部分的所述末端延伸超出所述第二介电层的所述第二表面；电子组件，其包含第一电触点和第二电触点，所述电子组件的至少一部分被所述壁部分围绕；第一图案化导电层，其包埋在所述第二介电层的所述第二表面中；以及第二图案化导电层，其安置在所述第二介电层的所述第二表面上和所述第一图案化导电层从所述第二表面暴露的表面上，其中所述第二图案化导电层与所述第一电触点、所述第二电触点以及所述壁部分的所述末端对准。
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