[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层的开口中的导电层上。本发明能提升半导体结构的良率，且能提高材料选用的便利性。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一硅基板，具有一镂空区、一阶梯结构、一尖角结构及相对的一第一表面与一第二表面，其中该阶梯结构与该尖角结构环绕该镂空区，该阶梯结构具有朝向该镂空区且依续连接的一第一斜面、一第三表面与一第二斜面，该尖角结构具有三角形的剖面形状；一保护层，位于该硅基板的该第一表面上，其中该阶梯结构的该第三表面与该保护层之间的距离大于该尖角结构的顶端与该保护层之间的距离；一焊垫，位于该保护层中，且从该镂空区裸露；一绝缘层，位于该阶梯结构的该第一斜面、该第三表面、该第二斜面与该第二表面上及该尖角结构上；一布线层，位于该绝缘层上与该焊垫上；一导电层，位于该布线层上；一阻隔层，覆盖该阶梯结构与该尖角结构，且该阻隔层具有一开口，使该导电层裸露；以及一导电结构，位于该开口中的该导电层上。