[发明专利]氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置有效
| 申请号： | 201510050339.7 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821348B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 梅泽好太;渡边要介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置。氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上；以及以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点，使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 氮化镓系结晶 中间层 生长 热处理装置 氮化铝 结晶核 氧化铝 成膜 加热 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系结晶的生长方法，其中，该氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上，并使所述硅基板的表面的一部分暴露，暴露部分被氮化或被氧化而形成由氮化硅或氧化硅构成的改性区域；以及不自所述硅基板的所述改性区域、而以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点，使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。
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