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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳膜的成膜方法和成膜装置-CN202210102475.6在审
发明人： 渡边要介;千田翔太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明涉及碳膜的成膜方法和成膜装置。使用卤素作为催化剂的低温CVD碳成膜工艺中，减少卤素的影响，改善碳膜的生产率和膜质。具备如下工序：向基板供给含碳气体和卤素气体，利用化学气相沉积使碳膜沉积在基板上的工序；和，供给跟构成前述卤素气体的卤素反应的气体，使前述碳膜内所含的前述卤素减少的工序，将使前述碳膜沉积的工序和使前述卤素减少的工序作为1个循环，重复多个循环。
方法装置

[发明专利]氮化硼膜的成膜方法和成膜装置-CN202210083799.X在审
发明人：千田翔太;渡边要介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：提供：即使基底不同也能孵育时间一致地沉积均匀的氮化硼膜的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。具备如下工序：向设有成膜为氮化硼膜时的孵育时间不同的基底的基板的表面供给氨基硅烷气体以形成晶种层的工序；和，使氮化硼膜在前述晶种层上沉积的工序。
氮化方法装置

[发明专利]氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置-CN201510050339.7有效
发明人：梅泽好太;渡边要介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置。氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上；以及以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点，使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。
硅基板氮化镓系结晶中间层生长热处理装置氮化铝结晶核氧化铝成膜加热

[发明专利]橡胶组合物-CN201280019946.1有效
发明人： 渡边要介;奥尔汉·厄兹蒂尔克;上北泰生 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C08L21/00 文献下载
摘要：一种橡胶组合物，其是将由（A1）、（B1）、（C1）以及（D1）所构成的群组中选出的1种以上与橡胶成分以及填充剂混炼而得到的橡胶组合物；以及一种硫化橡胶的粘弹性特性的改善方法，其具有将由（A1）、（B1）、（C1）以及（D1）所构成的群组中选出的1种以上与橡胶成分与填充剂以及硫成分混炼的第1工序，和将前一工序中得到的混炼物进行热处理的第2工序。（A1）：式（I）所表示的化合物（B1）：式（I）所表示的化合物的盐（C1）：式（I）所表示的化合物的溶剂化物（D1）：式（I）所表示的化合物的盐的溶剂化物。
橡胶组合

[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置-CN201110433909.2在审
发明人：村上博纪;渡边要介;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。
氮化方法装置

[发明专利]光学活性3-哌啶甲酰胺的制造方法-CN201080032818.1无效
发明人： 渡边要介;大谷裕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C07D211/60 文献下载
摘要：本发明通过如下的光学活性3-哌啶甲酰胺的制造方法，能够在商业生产中有利地制造光学活性3-哌啶甲酰胺。所述制造方法包括以下工序：在溶剂中使3-哌啶甲酰胺与光学活性乳酸反应来制备非对映异构体盐混合物，并使该非对映异构体盐混合物中的一个非对映异构体盐析出的工序；获取所析出的非对映异构体盐的工序；以及对所获取的非对映异构体盐用碱进行处理从而使光学活性3-哌啶甲酰胺游离的工序。
光学活性哌啶甲酰胺制造方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110126549.1有效
发明人：周保华;梅泽好太;渡边要介;长谷川雅之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1氧化气体和第2氧化气体构成的气体，该第1氧化气体由O2气体和O3气体中的至少一种气体构成，该第2氧化气体由H2O气体和H2O2气体中的至少一种气体构成。
方法装置

[发明专利]哌啶-3-基氨基甲酸酯化合物的制造方法及其光学拆分方法-CN200980110268.8无效
发明人： 渡边要介;安冈顺一;池本哲哉 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C07D211/56 文献下载
摘要：本发明提供在钯催化剂的存在下使吡啶-3-基氨基甲酸酯化合物与氢接触的哌啶-3-基氨基甲酸酯化合物的制造方法。
哌啶氨基甲酸酯化合物制造方法及其光学拆分

[发明专利]哌啶-3-基氨基甲酸烷基酯的光学拆分方法及其中间体-CN200980106210.6无效
发明人： 渡边要介;安冈顺一;池本哲哉 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C07D211/56 文献下载
摘要：本发明提供哌啶-3-基氨基甲酸酯的光学拆分方法，其中，在溶剂的存在下，使烷基哌啶-3-基氨基甲酸烷基酯的RS混合物与光学活性的酒石酸接触。
哌啶氨基甲酸烷基光学拆分方法及其中间体

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