[发明专利]多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件有效

专利信息
申请号: 201810324504.7 申请日: 2015-03-23
公开(公告)号: CN108305923B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 渡边守道;吉川润;仓冈義孝;七泷努 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: H01L33/16 分类号: H01L33/16;H01L33/32;C30B29/40
代理公司: 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 代理人: 王轶;郑雪娜
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件,由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布,其平均倾斜角为1~10°。此外,本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层,该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明,可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外,使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
搜索关键词: 多晶 氮化 自立 使用 发光 元件
【主权项】:
1.一种多晶氮化镓自立基板,由在所述基板的大致法线方向沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成,其中,基板表面的利用电子背散射衍射法亦即EBSD的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布,其平均倾斜角为1~10°,规定为所述多晶氮化镓自立基板的厚度T与在所述多晶氮化镓自立基板的表面露出的所述氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT之比的纵横尺寸比T/DT为0.7以上。
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  • 本发明涉及一种低成本氮化镓基发光二极管的制备方法,以解决目前发光二极管制备中存在的成本较高、衬底难以重复利用的技术问题。一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法,利用表面石墨烯化的薄片状TiC材料作为衬底材料,生长发光二极管外延结构,外延结构包括n型掺杂层、多量子阱发光层和p型掺杂层。本发明以表面石墨烯化的TiC材料作为衬底材料,利用石墨烯与外延层间弱的范德华力,依靠机械拉力实现衬底与外延结构的分离,实现衬底的重复使用,降低了器件的制造成本。
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  • 项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国 - 中国科学院半导体研究所
  • 2014-04-14 - 2014-10-22 - H01L33/16
  • 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法,其中发光二极管包括:一衬底,其表面具有周期排列的凸起图形;一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内;一未掺杂半极性面氮化镓层,其制作在氮化铝缓冲层的上面,该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区,可阻隔位错缺陷向上延伸;一半极性面氮化镓N型层,其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上;一半极性面N型铟镓氮插入层,其制作在半极性面氮化镓N型层上;一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层,其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上;一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层,其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上;一半极性面P型氮化镓层,其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。
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