[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201510029040.3 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105870285B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 邱新智;陈世益;吕志强 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件，包含一外延叠层具有一第一半导体层、一第二半导体层以及一有源层位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间用以产生一光波；以及一主要出光面位于该第一半导体层之上，该光波穿透过该主要出光面；其中，该主要出光面包含一第一出光区域、一第二出光区域以及一最大近场发光强度，该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70％到100％之间，该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的0％到70％之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包含：外延叠层，具有第一半导体叠层、第二半导体叠层以及有源层，位于该第一半导体叠层与该第二半导体叠层之间，用以产生一光波；控制层，包含导电区域与电绝缘区域环绕该导电区域；以及主要出光面，位于该第一半导体叠层之上，该光波穿透过该主要出光面；其中，该主要出光面包含第一出光区域、第二出光区域以及最大近场发光强度，该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70％到100％之间，该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的0％到70％之间，该第一出光区域的面积与该第二出光区域的面积比介于0.25～0.45之间。
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- 周武;胡根水 - 华灿光电(苏州）有限公司
- 2014-07-31 - 2015-01-07 - H01L33/26
- 本发明公开了一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一外延片，外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的PSS、外延层；在外延片的正面形成划片道，外延片的正面为外延片的与蓝宝石衬底相反的一侧的表面，划片道的深度等于划片道处的外延层的厚度与PSS的厚度之和；在外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄外延片；在外延片的背面蒸镀ODR，外延片的背面为蓝宝石衬底未生长PSS的表面；从外延片的正面沿着划片道进行激光划片；对外延片进行裂片加工，得到LED芯片。本发明解决了外延片极易破碎、外延片直接报废、为制造商带来成本损失的问题。
- 一种改善GaN基LED效率下降的外延结构-201410356966.9
- 琚晶;马后永;李起鸣;徐慧文;孙传平 - 映瑞光电科技（上海）有限公司
- 2014-07-24 - 2014-11-05 - H01L33/26
- 本发明提出了一种改善LED效率下降的外延结构，包括衬底和依次堆叠在衬底上的GaN底层、超晶格应力释放层、多量子阱层、P型InGaN插入层、P型电子阻挡层以及P型GaN层。在多量子阱层最后一个势垒和P型电子阻挡层之间插入一层P型InGaN插入层，P型InGaN插入层的In组分从靠近多量子阱层到电子阻挡层由小到大渐变，且采用脉冲式的镁掺杂。本发明一方面可以减少电子向P端的泄露，另一方面可以增强空穴向有源区的注入。本发明可以改善GaN基LED效率下降的问题，提高大电流条件下的发光效率。
- 一种LED光源-201410309150.0
- 周宇;薛信燊 - 深圳市红绿蓝光电科技有限公司
- 2014-06-30 - 2014-09-17 - H01L33/26
- 本发明涉及照明技术领域，公开了一种LED光源，包括多个用于发出白色光的LED发光件，所述LED发光件包括波段为470-510nm的蓝绿光LED芯片以及设置在所述蓝绿光LED芯片外围的荧光粉。本发明中的一种LED光源，采用波段为470-510nm的蓝绿光LED芯片提供蓝光，其本身波长较长，频率较低，对用户健康影响小。
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