[发明专利]制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板有效

专利信息
申请号: 201510002256.0 申请日: 2015-01-04
公开(公告)号: CN104766832B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 姜圣日;裴仁燮;秦敏硕 申请(专利权)人: 海成帝爱斯株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L21/48
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 尹淑梅;王占杰
地址: 韩国庆尚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板,所述方法具有简化的工艺并解决了上图案和下图案对准问题。半导体封装基板通过所述方法来制造。制造半导体封装基板的方法包括如下步骤:在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽;用树脂填充第一凹槽;以及蚀刻基体基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的树脂。
搜索关键词: 制造 半导体 封装 方法
【主权项】:
一种制造半导体封装基板的方法,所述方法包括下述步骤:在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽;用树脂填充第一凹槽;以及蚀刻基体基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的树脂。
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