[发明专利]用于用多个金属层填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置有效
| 申请号： | 201480080911.8 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106663667B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | J·M·施泰格瓦尔德;N·林德特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了一种用于用多个金属层来填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置。在一个实施例中，一种装置包括：包括半导体材料的晶体管结构；具有被限定在晶体管结构上方的凹陷部的电介质材料，凹陷部在第一方向上具有高度；被设置在凹陷部中并与晶体管结构耦合电极端子，其中，电极端子的第一部分包括与晶体管结构直接接触的第一金属，并且电极端子的第二部分包括设置在第一部分上的第二金属，并且其中，第一部分与第二部分之间的界面是平面的并且在第二方向上延伸跨过凹陷部，第二方向实质上垂直于第一方向。可以描述和/或请求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 用多个 金属 填充 纵横 结构 技术 以及 相关 配置 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：/n晶体管结构，所述晶体管结构包括半导体材料；/n第一电介质材料，所述第一电介质材料具有被限定在所述晶体管结构上方的凹陷部，所述凹陷部在第一方向上具有高度；以及/n电极端子，所述电极端子被整个地设置在所述第一电介质材料的所述凹陷部中并与所述晶体管结构耦合，其中，所述电极端子的第一部分包括与所述晶体管结构直接接触的第一金属，并且所述电极端子的第二部分包括被设置在所述第一部分上的第二金属，并且其中，所述第一部分与所述第二部分之间的界面是平面的，并且所述第一部分与所述第二部分之间的界面在第二方向上延伸跨过所述凹陷部，所述第二方向实质上垂直于所述第一方向。/n
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