[发明专利]用于用多个金属层填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置

说明书

本公开内容的实施例描述了一种用于用多个金属层来填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置。在一个实施例中，一种装置包括：包括半导体材料的晶体管结构；具有被限定在晶体管结构上方的凹陷部的电介质材料，凹陷部在第一方向上具有高度；被设置在凹陷部中并与晶体管结构耦合电极端子，其中，电极端子的第一部分包括与晶体管结构直接接触的第一金属，并且电极端子的第二部分包括设置在第一部分上的第二金属，并且其中，第一部分与第二部分之间的界面是平面的并且在第二方向上延伸跨过凹陷部，第二方向实质上垂直于第一方向。可以描述和/或请求保护其它实施例。

技术领域

本公开内容的实施例总体上涉及集成电路的领域，并且更具体而言，涉及用于用多个金属层来填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置。

背景技术

晶体管结构的尺寸在新兴技术中持续缩小至较小尺寸。例如，向晶体管结构传送电能的金属接触部的临界尺寸可以缩小到其中用于在窄结构中沉积金属的传统技术可能由于技术或成本原因而不可行的程度。

附图说明

通过结合附图的以下具体实施方式，将容易理解实施例。为了便于描述，类似的附图标记指代类似的结构元件。在附图的图中，通过示例的方式而不是通过限制的方式例示了实施例。

图1示意性地例示了根据一些实施例的以晶圆形式和以单体化形式的示例管芯的顶视图。

图2示意性地例示了根据一些实施例的集成电路(IC)组件的横截面侧视图。

图3示意性地例示了根据一些实施例的第一透视图和第二透视图中的晶体管电极组件的横截面侧视图。

图4A-图4G示意性地例示了根据一些实施例的在各个制造阶段期间的第一透视图和第二透视图中的晶体管电极组件的横截面侧视图。

图5示意性地例示了根据一些实施例的用于制造晶体管电极组件的方法的流程图。

图6示意性地例示了根据一些实施例的可以包括如本文中所描述的晶体管电极组件的示例系统。

具体实施方式

本公开内容的实施例描述了用于用多个金属层来填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置。在以下具体实施方式中，参照形成本文的一部分的附图，其中贯穿附图类似的附图标记标识类似的部件，并且在附图中通过其中可以实施本公开内容的主题的例示实施例的方式而示出。将理解的是，在不脱离本公开内容的范围的情况下可以利用其它实施例并且可以作出结构或逻辑改变。因此，以下具体实施方式并非在限制意义上被采用，并且实施例的范围由所附权利要求以及它们的等效形式来限定。

出于本公开内容的目的，短语“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公开内容的目的，短语“A、B、和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。

本说明书可以使用诸如顶部/底部、侧部、上方/下方、等等之类的基于视角的描述。这些描述仅用于便于讨论，而并非旨在将本文中所描述的实施例的应用限制于任何具体范围。

说明书可以使用短语“在一个实施例中”、或‘在实施例中’，它们均可以指代相同或不同实施例中的一个或多个实施例。此外，如关于本公开内容的实施例所使用的，术语“包括”、“包含”、“具有”、等等是同义词。

术语“与……耦合”连同其派生词可以用在本文中。“耦合”可以表示以下含义中的一个或多个含义。“耦合”可以表示两个或更多个元件直接物理或电接触。然而，“耦合”还可以表示两个或更多个元件彼此间接接触，但仍彼此协作或相互作用，并可以表示一个或多个其它元件耦合或连接在被称为彼此耦合的元件之间。术语“直接耦合”可以表示两个或更多个元件直接接触。