[发明专利]用于用多个金属层填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置

权利要求书

1.一种装置，包括：

晶体管结构，所述晶体管结构包括半导体材料；

第一电介质材料，所述第一电介质材料具有被限定在所述晶体管结构上方的凹陷部，所述凹陷部在第一方向上具有高度；以及

电极端子，所述电极端子被整个地设置在所述第一电介质材料的所述凹陷部中并与所述晶体管结构耦合，其中，所述电极端子的第一部分包括与所述晶体管结构直接接触的第一金属，并且所述电极端子的第二部分包括被设置在所述第一部分上的第二金属，并且其中，所述第一部分与所述第二部分之间的界面是平面的，并且所述第一部分与所述第二部分之间的界面在第二方向上延伸跨过所述凹陷部，所述第二方向实质上垂直于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述晶体管结构包括：

栅极，所述栅极包括所述半导体材料；以及

栅极电介质，所述栅极电介质形成在所述栅极上，其中，所述第一金属与所述栅极电介质直接接触。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一金属是功函数金属并且所述第二金属具有与所述第一金属不同的化学组分。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述晶体管结构包括源极或漏极。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中，所述晶体管结构包括一个或多个鳍状物结构。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述电极端子的所述第一部分覆盖所述凹陷部内的所述一个或多个鳍状物结构的表面。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中：

所述第一金属共形地设置在所述晶体管结构的表面上；

所述第一部分包括设置在所述第一金属上的第三金属；并且

所述第三金属在所述第一部分与所述第二部分之间的界面处与所述第二金属直接接触。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中：

在所述第二方向上的跨所述凹陷部的临界尺寸小于或等于15纳米(nm)；并且

所述凹陷部的所述高度相对于所述临界尺寸的纵横比大于或等于2:1。

9.一种用于制造集成电路(IC)结构的方法，所述方法包括：

形成包括半导体材料的晶体管结构；

在所述晶体管结构上方沉积第一电介质材料；

在所述第一电介质材料中形成凹陷部以暴露出所述晶体管结构，所述凹陷部在第一方向上具有高度；以及

在所述第一电介质材料的所述凹陷部中形成整个电极端子，所述电极端子与所述晶体管结构耦合，其中，所述电极端子的第一部分包括与所述晶体管结构直接接触的第一金属，并且所述电极端子的第二部分包括被设置在所述第一部分上的第二金属，并且其中，所述第一部分与所述第二部分之间的界面是平面的，并且所述第一部分与所述第二部分之间的界面在第二方向上延伸跨过所述凹陷部，所述第二方向实质上垂直于所述第一方向。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述晶体管结构包括形成栅极、源极或漏极。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述晶体管结构包括形成一个或多个鳍状物结构。

12.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其中，在所述第一电介质材料中形成所述凹陷部包括去除被设置在所述晶体管结构上的牺牲材料。