[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480078258.1 申请日: 2014-04-24
公开(公告)号: CN106233461B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 中川和之;马场伸治;加藤武海 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H05K3/46
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 权太白;谢丽娜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体装置包括:配线基板,具有多个配线层;半导体芯片,搭载于所述配线基板,并具有多个电极;以及第一电容器,搭载于所述配线基板,并具有第一电极和第二电极。另外,所述多个配线层具备第一配线层,该第一配线层具有与所述第一电容器的所述第一电极电连接的第一端子焊盘和与所述第一电容器的所述第二电极电连接的第二端子焊盘。另外,所述多个配线层具备第二配线层,该第二配线层相比所述第一配线层位于所述配线基板的靠内侧一层,具有面积大于所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘的第一导体图案。另外,在所述第二配线层中,所述第一导体图案具有形成于与所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘各自重叠的区域的开口部。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:配线基板,具有多个配线层;半导体芯片,搭载于所述配线基板,并具有多个电极焊盘;以及第一电容器,搭载于所述配线基板,并具有第一电极和第二电极,所述多个配线层具备:第一配线层,具有与所述第一电容器的所述第一电极电连接的第一端子焊盘和与所述第一电容器的所述第二电极电连接的第二端子焊盘;以及第二配线层,相比所述第一配线层位于所述配线基板的靠内侧一层,具有面积大于所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘的第一导体图案,在所述第二配线层中,所述第一导体图案具有形成于与所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘各自重叠的区域的第一开口部,在所述第一导体图案的所述第一开口部内形成有第二导体图案。
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