[发明专利]包含氮化镓层的基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480066807.3 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN105814244B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 东原周平;岩井真;今井克宏 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;C30B33/12;H01L21/304;H01L21/3065
代理公司: 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 代理人: 王轶;郑雪娜
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 对于具有氮化镓层的基板,降低了氮化镓层在表面处理后的表面损伤,并改善了基板上形成的功能元件的品质。本发明提供一种至少具有氮化镓层的基板4。使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置,使标准化直流偏置电位为‑10V/cm2以上,引入氟系气体,对氮化镓层3的表面3a进行干法刻蚀处理。
搜索关键词: 氮化镓层 基板 等离子体发生装置 等离子体刻蚀装置 直流偏置电位 电感耦合式 表面损伤 氟系气体 干法刻蚀 功能元件 标准化 引入 制造
【主权项】:
1.一种至少在表面具有氮化镓层的基板,其特征在于,使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置,引入氟系气体作为刻蚀气体,对所述氮化镓层的露出面进行干法刻蚀处理而使该氮化镓层的所述露出面得到表面精加工,所述氟系气体包含选自氟化碳、氟代烃及氟化硫中的一种以上化合物,所述干法刻蚀处理时,使标准化直流偏置电位为‑10V/cm2以上、‑0.05V/cm2以下,使标准化偏置电位的功率为0.003W/cm2以上、2.0W/cm2以下。
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