[发明专利]封装半导体元件的制造方法及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201480042209.2 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN105408989A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 大薮恭也;野吕弘司;河野广希 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 封装半导体元件的制造方法包括:准备工序,在该准备工序中,准备配置有半导体元件的支承片;封装工序,在该封装工序中,利用具有剥离层、层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层以及层叠在剥离层之上且用于加强剥离层和封装层的加强层的封装片的封装层,在常温下埋设半导体元件而将半导体元件封装;加热工序,该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化;以及剥离工序,该剥离工序在加热工序之后将加强层剥离。 | ||
搜索关键词: | 封装 半导体 元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种封装半导体元件的制造方法,其特征在于,包括:准备工序,在该准备工序中,准备配置有半导体元件的支承片;封装工序,在该封装工序中,利用具有剥离层、完全固化前的封装层以及加强层的封装片的所述封装层在常温下对所述半导体元件进行埋设封装,其中,该封装层层叠在所述剥离层之下,且由热固化性树脂形成,该加强层层叠在所述剥离层之上,用于加强所述剥离层和所述封装层;加热工序,该加热工序在所述封装工序之后,在该加热工序中,对所述封装层加热而使所述封装层固化;以及剥离工序,该剥离工序在所述加热工序之后,在该剥离工序中,将所述加强层剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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