[发明专利]封装半导体元件的制造方法及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装半导体元件的制造方法及半导体装置的制造方法，详细而言，涉及一种利用封装层封装半导体元件而成的封装半导体元件的制造方法及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，公知有一种利用树脂片封装发光二极管等半导体元件的方法。

例如，提出如下一种方法：在安装有发光二极管的基板之上设置具有基材片和层叠于基材片之下的有机硅树脂层的封装用片，接着，利用有机硅树脂层埋设发光二极管而将该发光二极管封装。之后，对封装用片进行加热而使有机硅树脂层(封装层)固化，接着，将基材片自封装层剥离，从而制造光半导体装置(例如，参照下述专利文献1。)。

专利文献1：(日本)特开2013-095809号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在专利文献1所记载的方法中，存在封装层在加热中变形这样的不良情况。另外，在加热中基材片也发生变形，因此，存在封装层随着基材片的变形而进一步变形这样的不良情况。

本发明的目的在于，提供能够在防止剥离层的变形的同时抑制封装层的变形的封装半导体元件的制造方法及半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一种封装半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：准备工序，在该准备工序中，准备配置有半导体元件的支承片；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层、完全固化前的封装层以及加强层的封装片的所述封装层在常温下对所述半导体元件进行埋设封装，其中，该封装层层叠在所述剥离层之下，且由热固化性树脂形成，该加强层层叠在所述剥离层之上，用于加强所述剥离层和所述封装层；加热工序，该加热工序在所述封装工序之后，在该加热工序中，对所述封装层加热而使所述封装层固化；以及剥离工序，该剥离工序在所述加热工序之后，在该剥离工序中，将所述加强层剥离。

采用该方法，在剥离工序之前的加热工序中，能够利用层叠在剥离层之上的加强层对剥离层和封装层进行加强。因此，在加热工序中，加强层能够抑制剥离层和封装层的变形。

其结果，采用本发明的封装半导体元件的制造方法，能够制造出可靠性优异的半导体装置。

另外，在本发明的封装半导体元件的制造方法中，优选的是，在所述加热工序中，在常压下对封装片加热。

采用该方法，与利用加压装置等对封装层进行加压的方法不同，不需要相关的加压装置等特别的装置，在常压下，利用简易的加热装置就能够对封装片进行加热。因此，能够利用简便的方法且以较低的成本制造出封装半导体元件。

另外，在本发明的封装半导体元件的制造方法中，优选的是，所述加强层的厚度相对于所述剥离层和所述封装层的合计厚度的比值为0.07以上。

采用该方法，加强层的厚度相对于剥离层和封装层的合计厚度的比值为上述下限以上，因此，能够更可靠地对剥离层和封装层进行加强。因此，能够更进一步地抑制加热工序中的剥离层和封装层的变形。

另外，在本发明的封装半导体元件的制造方法中，优选的是，所述加强层由带有弱粘着性糊剂的PET膜形成。

采用该方法，因为加强层由带有弱粘着性糊剂的PET膜形成，所以能够更可靠地对剥离层和封装层进行加强。因此，能够更进一步地抑制加热工序中的剥离层和封装层的变形。

另外，在本发明的封装半导体元件的制造方法中，优选的是，在所述剥离工序中，将所述剥离层和所述加强层这两者同时自所述封装层剥离。

采用该方法，与依次剥离剥离层和加强层的方法相比，能够以较少的工时来实施剥离工序。因此，能够以简便的方法且以较低的成本制造出封装半导体元件。

另外，在本发明的封装半导体元件的制造方法中，优选的是，所述支承片是安装有所述半导体元件的基板。

另外，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，包括：利用上述封装半导体元件的制造方法制造所述封装半导体元件的工序和将所述封装半导体元件安装于基板的工序。

采用该方法，因为利用上述封装半导体元件的制造方法来制造封装半导体元件，所以能够制造出可靠性优异的半导体装置。

发明的效果

采用本发明，能够抑制加热工序中的剥离层和封装层的变形，其结果，能够制造出可靠性优异的封装半导体元件和半导体装置。

附图说明

图1A-图1C是本发明的封装半导体元件的制造方法的第1实施方式的制造工序图，图1A表示准备工序，图1B表示封装工序，图1C表示加热工序。