[发明专利]封装半导体元件的制造方法及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201480042209.2 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105408989A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 大薮恭也;野吕弘司;河野广希 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 半导体 元件 制造 方法 装置 | ||
1.一种封装半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
准备工序，在该准备工序中，准备配置有半导体元件的支承片；
封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层、完全固化前的封装层以及加强层的封装片的所述封装层在常温下对所述半导体元件进行埋设封装，其中，该封装层层叠在所述剥离层之下，且由热固化性树脂形成，该加强层层叠在所述剥离层之上，用于加强所述剥离层和所述封装层；
加热工序，该加热工序在所述封装工序之后，在该加热工序中，对所述封装层加热而使所述封装层固化；以及
剥离工序，该剥离工序在所述加热工序之后，在该剥离工序中，将所述加强层剥离。
2.根据权利要求1所述的封装半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述加热工序中，在常压下对封装片加热。
3.根据权利要求1所述的封装半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述加强层的厚度相对于所述剥离层和所述封装层的合计厚度的比值为0.07以上。
4.根据权利要求1所述的封装半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述加强层由带有弱粘着性糊剂的PET膜形成。
5.根据权利要求1所述的封装半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述剥离工序中，将所述剥离层和所述加强层这两者同时自所述封装层剥离。
6.根据权利要求1所述的封装半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述支承片是安装有所述半导体元件的基板。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
包括利用封装半导体元件的制造方法制造所述封装半导体元件的工序和将所述封装半导体元件安装于基板的工序，
所述封装半导体装置的制造方法包括：
准备工序，在该准备工序中，准备配置有半导体元件的支承片；
封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层、完全固化前的封装层以及加强层的封装片的所述封装层，在常温下对所述半导体元件进行埋设封装，其中，该封装层层叠在所述剥离层之下，由热固化性树脂形成，该加强层层叠在所述剥离层之上，用于加强所述剥离层和所述封装层；
加热工序，该加热工序在所述封装工序之后，在该加热工序中，对所述封装层加热而使所述封装层固化；以及
剥离工序，该剥离工序在所述加热工序之后，在该剥离工序中，将所述加强层剥离。
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