[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480040051.5 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105409006B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 山下胜重;西村兼一;山本敦也;青木成刚 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/86 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具有：硅基板，具有包含第一导电型杂质的高浓度层；低浓度成，形成在高浓度层之上，包含第一导电型杂质；第一电极以及第二电极，形成在低浓度层之上；纵型半导体元件，在第二电极与高浓度层之间流过电流；以及第一沟槽部，使第一电极与高浓度层之间电导通。第一沟槽部具有包含第一导电型的杂质的第一多晶硅、和在平面视图中包围第一多晶硅的含有第一导电型杂质的扩散层。第一多晶硅形成为将低浓度层贯通并到达高浓度层，第一多晶硅和扩散层的第一导电型杂质浓度在从低浓度层至高浓度层的方向上是一定的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：硅基板，具有包含第一导电型杂质的高浓度层；低浓度层，形成在上述高浓度层之上，含有与上述高浓度层相比浓度低的第一导电型杂质；第一电极以及第二电极，形成在上述低浓度层之上；纵型半导体元件，在上述第二电极与上述高浓度层之间流过电流；以及第一沟槽部，使上述第一电极与上述高浓度层之间电导通，上述第一沟槽部由第一多晶硅和扩散层构成，该第一多晶硅包含第一导电型的杂质，该扩散层形成为在平面视图中与上述第一多晶硅相接且将上述第一多晶硅包围并含有第一导电型杂质，上述第一多晶硅形成为从上述低浓度层上表面贯通该低浓度层并到达上述高浓度层，上述第一多晶硅和上述扩散层的各自的第一导电型杂质浓度在从上述低浓度层至上述高浓度层的方向上是一定的，在上述第一多晶硅与上述扩散层的接合界面附近，上述第一多晶硅的第一导电型杂质浓度大于上述扩散层的第一导电型杂质浓度。
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