[发明专利]包含阶梯结构的半导体装置

摘要

半导体装置(例如三维存储器装置)包含存储器阵列，其包含导电层堆叠及阶梯结构。所述阶梯结构定位于所述存储器阵列的第一部分与第二部分之间且包含用于所述导电层堆叠的相应导电层的接触区域。所述存储器阵列的所述第一部分包含在所述堆叠上方沿特定方向延伸的第一多个选择栅极。所述存储器阵列的所述第二部分包含也在所述导电层堆叠上方沿所述特定方向延伸的第二多个选择栅极。本发明还揭示形成及操作此类半导体装置(包含垂直存储器装置)的方法。

主权项

一种半导体装置，其包括存储器阵列，所述存储器阵列包括导电层堆叠及所述存储器阵列的第一部分与第二部分之间的阶梯结构，其中所述阶梯结构包含用于所述导电层堆叠的相应导电层的接触区域，且其中：所述存储器阵列的所述第一部分包括第一多个选择栅极，其中所述第一多个选择栅极中的每一选择栅极在所述导电层堆叠上方沿特定方向延伸；及所述存储器阵列的所述第二部分包括第二多个选择栅极，其中所述第二多个选择栅极中的每一选择栅极也在所述导电层堆叠上方沿所述特定方向延伸。