[发明专利]包含阶梯结构的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括存储器阵列块，所述存储器阵列块包括包含连续导电层堆叠的多个导电层及所述存储器阵列块的第一部分与第二部分之间的阶梯结构，所述连续导电层堆叠中的每一导电层都是连续导电层，其中所述阶梯结构不包含选择栅极，其中所述阶梯结构包含用于所述连续导电层堆叠的相应连续导电层的接触区域，且其中：

所述存储器阵列块的所述第一部分包括第一多个选择栅极，其中所述第一多个选择栅极中的每一选择栅极在所述连续导电层堆叠上方沿一方向延伸；及

所述存储器阵列块的所述第二部分包括第二多个选择栅极，其中所述第二多个选择栅极中的每一选择栅极也在所述连续导电层堆叠上方沿所述方向延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阶梯结构的所述接触区域沿所述方向对准。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一多个选择栅极及所述第二多个选择栅极沿正交于所述方向的另一方向各自具有集体宽度，且其中沿所述另一方向的所述阶梯结构的宽度小于所述集体宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阶梯结构的所述接触区域包括用于所述连续导电层堆叠的非所有所述导电层的接触区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述阶梯结构包括第一阶梯结构且所述接触区域包括用于所述连续导电层堆叠的第一多个连续导电层的第一接触区域，所述半导体装置进一步包括所述存储器阵列块的所述第二部分与所述存储器阵列块的第三部分之间的第二阶梯结构，其中所述第二阶梯结构包括用于所述连续导电层堆叠的第二多个连续导电层的第二接触区域。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一多个选择栅极中的每一选择栅极耦合到所述第二多个选择栅极中的相应选择栅极。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述存储器阵列块的所述第三部分包括第三多个选择栅极，其中所述第三多个选择栅极中的每一选择栅极也在所述连续导电层堆叠上方沿所述方向延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一多个选择栅极中的每一选择栅极耦合到所述第二多个选择栅极中的相应选择栅极，且其中所述第二多个选择栅极中的每一选择栅极耦合到所述第三多个选择栅极中的相应选择栅极。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其进一步包括所述存储器阵列块的所述第三部分与所述存储器阵列块的第四部分之间的第三阶梯结构，其中所述第三阶梯结构包括用于所述连续导电层堆叠的第三多个导电层的第三接触区域。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其进一步包括：

第一控制单元，其位于所述存储器阵列块的所述第一部分下方且耦合到所述第一多个连续导电层的第一部分；

第二控制单元，其位于所述存储器阵列块的所述第二部分下方且耦合到所述第一多个连续导电层的第二部分；

第三控制单元，其位于所述存储器阵列块的所述第二部分下方且耦合到所述第二多个连续导电层的第一部分；

第四控制单元，其位于所述存储器阵列块的所述第三部分下方且耦合到所述第二多个连续导电层的第二部分；

第五控制单元，其位于所述存储器阵列块的所述第三部分下方且耦合到所述第三多个连续导电层的第一部分；及

第六控制单元，其位于所述存储器阵列块的所述第四部分下方且耦合到所述第三多个连续导电层的第二部分。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述控制单元包括旁通栅极。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其进一步包括所述存储器阵列块的所述第四部分与所述存储器阵列块的第五部分之间的第四阶梯结构，其中所述第四阶梯结构包括用于所述连续导电层堆叠的第四多个连续导电层的第四接触区域。