[发明专利]功率半导体模块及其制造方法、电力变换器有效
申请号: | 201480020428.0 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN105229785B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 岡本健次 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/538 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 金光军,金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 通过将功率半导体元件(4)接合于在上部具有凸状的阶梯部(12)的金属块(1)的上表面以外的各表面和该上表面的除了元件安装区域以外的部分直接形成了由陶瓷材料构成的绝缘层(2)的带绝缘层金属块(3)的元件安装区域,并将该带绝缘层金属块(3)嵌合并固定于金属板(5)的带凸檐贯通孔(17)内,能够制造低成本、散热性优良的功率半导体模块(100)。此外,通过具备该功率半导体模块(100)和散热器(11),并以使金属块(1)的下表面隔着绝缘层(2)与散热器(11)抵接的方式将功率半导体模块(100)固定于散热器(11),能够制造低成本、小型的电力变换器(300)。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 及其 制造 方法 电力 变换器 | ||
【主权项】:
一种功率半导体模块,其特征在于,具备:金属板,具有带凸檐贯通孔;和带绝缘层金属块,在金属块的上表面以外的各表面和该上表面的除了元件安装区域以外的部分直接形成有由陶瓷材料构成的绝缘层,其中,所述带绝缘层金属块以其上部侧与所述带凸檐贯通孔的凸檐抵接的方式嵌合于所述金属板的所述带凸檐贯通孔内,并通过所述绝缘层确保所述金属块与所述金属板之间的电绝缘,并且,在所述金属块的上表面的所述元件安装区域固定有功率半导体元件,所述功率半导体元件与隔着绝缘材料配置于所述金属板上的电路图案通过连接导体进行连接。
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