[发明专利]化合物半导体层叠体以及半导体装置在审
| 申请号： | 201480017836.0 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105103320A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 吉川阳;森安嘉贵;小仓睦郎 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;C23C16/30;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 化合物半导体层叠体具备：电阻率为1×105Ωcm以上的基板(101)；第一化合物半导体层(102)，其形成于基板(101)上，掺杂有碳且包含In和Sb；第二化合物半导体层(103)，其形成于第一化合物半导体层(102)上，碳的浓度小于第一化合物半导体层(102)，且包含In和Sb。第一化合物半导体层(102)的膜厚为0.005μm以上且0.2μm以下。另外，第一化合物半导体层(102)的碳的浓度为1×1015cm-3以上且5×1018cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 层叠 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体层叠体，其具备：电阻率为1×105Ωcm以上的基板；第一化合物半导体层，其形成于所述基板上，掺杂有碳且包含In和Sb；以及第二化合物半导体层，其形成于所述第一化合物半导体层上，碳的浓度小于所述第一化合物半导体层，且包含In和Sb，所述第一化合物半导体层的膜厚为0.005μm以上且0.2μm以下，所述第一化合物半导体层的碳的浓度为1×1015cm‑3以上且5×1018cm‑3以下。
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