[发明专利]化合物半导体层叠体以及半导体装置在审
| 申请号： | 201480017836.0 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105103320A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 吉川阳;森安嘉贵;小仓睦郎 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;C23C16/30;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 层叠 以及 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种化合物半导体层叠体，其具备：
电阻率为1×105Ωcm以上的基板；
第一化合物半导体层，其形成于所述基板上，掺杂有碳且包含In和Sb；以及
第二化合物半导体层，其形成于所述第一化合物半导体层上，碳的浓度小于所述第一化合物半导体层，且包含In和Sb，
所述第一化合物半导体层的膜厚为0.005μm以上且0.2μm以下，所述第一化合物半导体层的碳的浓度为1×1015cm-3以上且5×1018cm-3以下。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体层叠体，其特征在于，所述基板为Si或GaAs。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体层叠体，其特征在于，所述第一化合物半导体层为用于缓和所述基板和所述第二化合物半导体层的晶格失配的缓冲层，
所述第二化合物半导体层为作为元件的至少一部分起作用的活性层。
4.一种半导体装置，其是使用权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体层叠体而得到的。
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