[发明专利]用于转盘处理腔室的具有刚性板的大气盖在审
申请号: | 201480015790.9 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN105051860A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | J·约德伏斯基;K·格里芬 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 揭示包括盖组件的处理腔室,该盖组件在注入器组件之上形成空间,以减少该注入器组件由于该注入器组件的处理侧与该注入器组件的大气侧之间的压力差所导致的偏移。 | ||
搜索关键词: | 用于 转盘 处理 具有 刚性 大气 | ||
【主权项】:
一种处理腔室,包括:腔室主体,所述腔室主体包括底壁和侧壁;基座组件,所述基座组件在所述腔室主体中,用于支撑多个基板并使所述多个基板围绕中心轴旋转,所述基座组件具有顶表面;注入器组件,所述注入器组件被定位在所述基座组件之上并且具有后表面和前表面,所述前表面面向所述基座组件的顶表面并限定处理空间,所述注入器组件的外周边缘将所述注入器组件支撑在所述腔室主体的侧壁上;以及腔室盖,所述腔室盖包括顶壁和侧壁,所述侧壁可连接至所述腔室主体侧壁,所述注入器组件的顶表面以及所述腔室盖顶壁和侧壁限定盖空间。
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- 西真一;近藤均;喜纳修 - 柯尼卡美能达株式会社;株式会社理光;凸版印刷株式会社
- 2014-12-22 - 2019-11-01 - H01L21/02
- 本发明的目的在于提供一种能够实现防止由印刷法产生的尘埃导致的产品不合格、并且能够使电子器件的生产性能提高的电子器件的印刷生产线系统,设有输送室(1)以及多个处理室(6),该输送室(1)具备供将基材(15)以开放状态单张输送的自走式机器人(111、121)行驶的机器人输送线(100),在输送室(1)与各个处理室(6)之间设有进行基材(15)的装载以及卸载的基材交接区域(601),输送室(1)与基材交接区域(601)经由开口部(602)连通,该开口部(602)形成从输送室(1)侧朝向处理室(6)侧的单方向的空气的流动,将输送室(1)内的空气压调整为比基材交接区域(601)的空气压高,从而形成开口部(602)中的单方向的空气的流动。
- 异质薄膜复合结构及其制备方法-201810368167.1
- 欧欣;林家杰;黄凯;游天桂;王曦 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2018-04-23 - 2019-10-29 - H01L21/02
- 本发明提供一种异质薄膜复合结构及制备方法,制备包括:提供键合衬底,具有离子注入面;于离子注入面进行离子注入,以在键合衬底的预设深度处形成缺陷层;提供支撑衬底,且具有刻蚀面,自刻蚀面刻蚀支撑衬底,以在支撑衬底上形成凹槽结构;将离子注入面与刻蚀面进行键合;沿缺陷层剥离部分键合衬底,使键合衬底的一部分转移至支撑衬底上,获得表面无泡且低应力异质薄膜复合结构。本发明在支撑衬底上光刻凹槽结构,增加了键合界面处气体与支撑衬底的接触面积,打开了界面气体向外界释放的通道,使界面处产生的气体更好的扩散进支撑衬底或外界环境,得到表面无泡的键合薄膜,也使转移的键合薄膜的应力得到释放,使异质薄膜结构有利于后期器件制备。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造