[发明专利]用于创建多孔反射接触件的方法和装置有效
| 申请号： | 201480014149.3 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105009308B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | J.E.伊普勒 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙之刚;景军平 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 发光器件包括半导体结构，其具有设置在N型区（103）和P型区（101）之间的发光区（102）。多孔区（103A）设置在发光区（102）与电气连接到N型区（103）和P型区（101）中的一个的接触件（N接触件131）之间。多孔区（102）将光散射离开接触件（131），这可以改进来自器件的光提取。在一些实施例中，多孔区（103A）是N型半导体材料，诸如GaN或GaP。多孔区（103A）可以连接到包括ITO和/或银区的反射接触件。反射接触件与多孔区的结合可以朝向（多个）主发光表面反射漫射光。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 创建 多孔 反射 接触 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：包括第一半导体区和第二半导体区的多个半导体区，其中一个半导体区为N型区并且另一个半导体区为P型区；设置在半导体区之间的发光区；从其发射提取自半导体结构的光的大部分的第一表面；与第一表面相对的第二表面；电气连接到一个半导体区的第一接触件，第一接触件包括：第一ITO区；以及金属化区；设置在第一接触件和发光区之间并且在发光区的与第一表面相对的侧面上的第一多孔区，其中第一多孔区是半导体区；以及电气连接到一个半导体区的第二接触件；其中第一接触件和第二接触件连接到不同半导体区。
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