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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有更均匀注入和更低光学损耗的改进的P接触-CN201280054659.4有效
发明人： J.E.伊普勒 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：通过在毗邻保护片(150)的区域(310)中故意抑制电流流动通过p层(130)来调适跨过半导体器件的p层(130)的电流分布，而不减小器件的任何部分的光学反射率。通过增大沿着接触区域的边缘以及在拐角耦合到p接触(140)的p层的电阻，可以抑制此电流流动。在示例实施例中，在p接触(130)形成之后，通过浅剂量的氢离子(H+)注入产生高电阻区域(130)。类似地，可以在p接触和p层之间的选定区域中应用电阻性涂层。
具有均匀注入光学损耗改进接触

[发明专利]将衬底接合到半导体发光器件的方法-CN201710012849.4有效
发明人： G.巴辛;J.E.伊普勒;P.S.马丁 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：根据本发明实施例的方法包括在半导体发光器件的晶片上方定位柔性膜（48），每个半导体发光器件包括半导体结构（13），所述半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层。经由柔性膜（48）将半导体发光器件的晶片接合到衬底（50）。在接合之后，柔性膜（48）与半导体结构（13）直接接触。该方法还包括将所述晶片接合到所述衬底（50）之后，划分所述晶片。
衬底接合半导体发光器件方法

[发明专利]用于创建多孔反射接触件的方法和装置-CN201480014149.3有效
发明人： J.E.伊普勒 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：发光器件包括半导体结构，其具有设置在N型区（103）和P型区（101）之间的发光区（102）。多孔区（103A）设置在发光区（102）与电气连接到N型区（103）和P型区（101）中的一个的接触件（N接触件131）之间。多孔区（102）将光散射离开接触件（131），这可以改进来自器件的光提取。在一些实施例中，多孔区（103A）是N型半导体材料，诸如GaN或GaP。多孔区（103A）可以连接到包括ITO和/或银区的反射接触件。反射接触件与多孔区的结合可以朝向（多个）主发光表面反射漫射光。
用于创建多孔反射接触方法装置

[发明专利]将衬底接合到半导体发光器件的方法-CN201810161389.6在审
发明人： G.巴辛;J.E.伊普勒;P.S.马丁 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：根据本发明实施例的方法包括在半导体发光器件的晶片上方定位柔性膜（48），每个半导体发光器件包括半导体结构（13），所述半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层。经由柔性膜（48）将半导体发光器件的晶片接合到衬底（50）。在接合之后，柔性膜（48）与半导体结构（13）直接接触。该方法还包括将所述晶片接合到所述衬底（50）之后，划分所述晶片。
半导体发光器件半导体结构衬底晶片接合接合柔性膜晶片定位柔性发光层

[发明专利]将衬底接合到半导体发光器件的方法-CN201280042515.7在审
发明人： G.巴辛;J.E.伊普勒;P.S.马丁 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据本发明实施例的方法包括在半导体发光器件的晶片上方定位柔性膜（48），每个半导体发光器件包括半导体结构（13），所述半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层。经由柔性膜（48）将半导体发光器件的晶片接合到衬底（50）。在接合之后，柔性膜（48）与半导体结构（13）直接接触。该方法还包括将所述晶片接合到所述衬底（50）之后，划分所述晶片。
衬底接合半导体发光器件方法

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