专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]表面处理装置及表面处理方法-CN202180091039.7在审
  • 深田和宏;福山聪;小久保光典;难波武志 - 芝浦机械株式会社
  • 2021-12-28 - 2023-09-08 - C23C14/50
  • 表面处理装置(10)具备:被处理件载置部(50)(载置机构),载置被处理件(W);腔室(20)(收容单元),收容载置于被处理件载置部的被处理件;等离子生成装置(21)(表面处理机构)、溅镀装置(22)(表面处理机构),对收容于腔室的被处理件进行至少1种表面处理;被处理件输送部(40)(输送机构),将载置于被处理件载置部的被处理件沿着等离子生成装置及溅镀装置输送;以及C轴旋转马达(55)及B轴旋转马达(57)(第1调整机构),根据被处理件输送部的输送位置和等离子生成装置或溅镀装置的位置,调整被处理件的朝向。
  • 表面处理装置方法
  • [发明专利]转印装置-CN201811239551.8有效
  • 小久保光典;马场丘人;后藤利章 - 东芝机械株式会社
  • 2018-10-24 - 2023-06-16 - G03F7/00
  • 一种转印装置及转印方法,该转印装置用于将形成在模具上的微细的转印图案转印到喷涂在基板上的树脂上,该转印装置具备用于将未固化的树脂喷涂在基板上的喷涂部;定位并一体地设置基板的基板设置部;设置片状的模具的模具设置部;转印辊;和用于在将形成在模具上的微细的转印图案转印到喷涂在基板上的树脂上后,向从基板的树脂剥开的模具照射等离子体来清洁模具的等离子体单元,从基板的树脂剥开的模具,在由等离子体单元照射等离子体进行了清洁后,再次在转印图案的转印中使用。
  • 装置
  • [发明专利]深紫外LED及其制造方法-CN201680003179.3有效
  • 鹿岛行雄;松浦惠里子;小久保光典;田代贵晴;平山秀树;上村隆一郎;长田大和;森田敏郎 - 丸文株式会社;东芝机械株式会社;国立研究开发法人理化学研究所;株式会社爱发科;东京应化工业株式会社
  • 2016-11-01 - 2019-04-19 - H01L33/10
  • 本发明涉及一种能够提高光提取效率的深紫外LED。一种深紫外LED,其将设计波长设为λ,所述深紫外LED的特征在于,从基板的相反侧按顺序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、以及相对于波长λ透明的p型AlGaN层、多量子势垒层或者电子阻挡层、势垒层、量子阱层,所述p型AlGaN层的膜厚处于100nm以内,具有反射型光子晶体周期结构,该反射型光子晶体周期结构具有多个空孔,所述多个空孔至少包括所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层的界面,并设置于在所述基板方向上未超过所述p型AlGaN层的厚度方向的范围内,当从所述空孔的基板方向上的端面至量子阱层的距离为所述势垒层和所述多量子势垒层(或者所述电子阻挡层)的膜厚的合计值以上且处于80nm以内、以及其深度h处于所述p型AlGaN层和所述p型GaN接触层的膜厚的合计值以内时,能够获得光提取效率的极大值,并且,所述反射型光子晶体周期结构具有相对于TE偏振分量而形成的光子带隙,所述光子晶体周期结构的周期a相对于所述设计波长为λ的光满足布拉格条件,并且,当布拉格条件式中的次数m满足1≤m≤5、且所述空孔的半径设为R时,满足使得光子带隙最大的R/a。
  • 深紫led及其制造方法
  • [发明专利]覆盖部件-CN201410118242.0在审
  • 小久保光典;铃木亨 - 东芝机械株式会社
  • 2014-03-27 - 2014-10-01 - H05K5/03
  • 一种覆盖部件,具备:用于覆盖电子设备(W)的显示部(Wa)的主盖(21);设于主盖(21)的两侧面、将电子设备(W)夹持在其与主盖(21)之间的侧盖(22)和弯折部(23);以及设于主盖(21)的两端面的上盖(30)及下盖(40),该覆盖部件没有复杂的结构,尽可能地减少了安装到壳体时的粘接工序,从而能够降低制造成本并提高组装效率。
  • 覆盖部件

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