[实用新型]高绝缘耐压功率半导体模块

摘要

本实用新型的名称为高绝缘耐压功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有高绝缘耐压模块的制造存在成品率低、生产效率很低的问题。它的主要特征是：在散热底板上与芯片对应的部位设有圆形凸台；外壳底部设有与侧壁连为一体的外壳底面，外壳底面上设有圆形通孔；圆形凸台的高度大于外壳底面的厚度，且圆形凸台直径小于绝缘导热片的直径；在芯片与压板之间设有绝缘板；绝缘导热片、电极下端、芯片和压块均位于硅凝胶或硅橡胶层中。本实用新型具有绝缘耐压达到4500V或以上，能够满足软启动、变频和无功补偿等设备中对模块有高绝缘耐压需求的特点，并且满足高效生产，主要用于高绝缘耐压功率半导体模块的批量化生产。

主权项

一种高绝缘耐压功率半导体模块，包括外壳（2）、盖板（14）、散热底板（1）、电极（5）、芯片（6）、铝垫片（3）、绝缘导热片（4）、压块（7）、门极组件（8）、辅助阴极（10）、绝缘板（11）、垫块（12）、压板（13）、紧固螺钉（18）、门极片（16）、门极块（15）和外壳内填充的硅凝胶或硅橡胶层（19），其特征在于：在所述的散热底板（1）上与芯片对应的部位设有圆形凸台；所述的外壳（2）底部设有与侧壁连为一体的外壳底面，该外壳底面上设有与圆形凸台对应的圆形通孔，正好套装在圆形凸台上；所述圆形凸台的高度大于外壳底面的厚度，且圆形凸台直径小于绝缘导热片（4）的直径；在所述的芯片（6）与压板（13）之间设有绝缘板（11）；所述的绝缘导热片（4）、电极（5）下端、芯片（6）和压块（7）均位于硅凝胶或硅橡胶层（19）中。