[实用新型]一种微型耐压高散热的MOSFET有效
| 申请号： | 201420586141.1 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204271079U | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 黄泽军 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/02;H01L23/367;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种微型耐压高散热的MOSFET，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装，在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳,等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，增加了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 耐压 散热 mosfet | ||
【主权项】：
一种微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装；还包括一壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上，在第一外延片的第一段的侧部连接所述外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。
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