[实用新型]一种微型耐压高散热的MOSFET

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种微型耐压高散热的MOSFET。

背景技术

如图1所示，现有的很多MOSFET的第一外延片22，第二外延片23二者是一体设置的，然后封装体21封装，这样设置的目的是散热，但是实际效果很差，由于第一外延片，第二外延片的散热面积有限，导致散热不畅，另外第一外延片，第二外延片二者是一体设置很容易造成短路。现有的MOSFET对耐压程度也不高，不能承受特殊环境状态下使用。

所以现有技术有缺陷，需要改进。

实用新型内容

 本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种微型耐压高散热的MOSFET，能够提高微型耐压提高散热效果的MOSFET。

  为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种微型耐压高散热的MOSFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装；

还包括一壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上，在第一外延片的第一段的侧部连接所述外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，第一外延片与外壳是一体设置。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，第二外延片与外壳是一体设置。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的左侧。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的右侧。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的前端。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的后端。

所述的微型耐压高散热的MOSFET，其中，在封装体内设置处理器模块、加解密模块,存储模块,电源检测模块和输入输出模块,且所述所有模块通过MOSFET内部的总线相互连接,管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳,等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，能够形成良好的欧姆接触,减小接触电阻,从而减小导通压降,进而降低通态功耗,使可控硅MOSFET发热量低,可靠性好,使用寿命长。                                              

附图说明

图l为现有MOSFET的结构示意图；

图2为本实用微型耐压高散热的MOSFET的结构示意图之一；

图3为本实用微型耐压高散热的MOSFET的结构示意图之二。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。

  实施例一

请参阅图2、图3所示，本实用新型揭示了一种微型耐压高散热的MOSFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装；