[实用新型]一种微型耐压高散热的MOSFET

权利要求书

1. 一种微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装；

还包括一壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上，在第一外延片的第一段的侧部连接所述外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。

2.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：第一外延片与外壳是一体设置。

3.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：第二外延片与外壳是一体设置。

4.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。

5.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的左侧。

6.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的右侧。

7.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的前端。

8.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的后端。

9.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的MOSFET，其特征在于：在封装体内设置处理器模块、加解密模块,存储模块,电源检测模块和输入输出模块,所有模块通过MOSFET内部的总线相互连接,管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间。