[实用新型]具线圈驱动功能的半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 201420199403.9 申请日: 2014-04-23
公开(公告)号: CN204011419U 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 黄建屏 申请(专利权)人: 晶致半导体股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具线圈驱动功能的半导体封装结构,包括:具有多条线路的承载件、设于该承载件上且电性连接该线路的至少两个具功率金属氧化物半导体场效晶体管(Power Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,简称Power MOSFET)的封装件、设于该承载件上且电性连接该线路的至少一具控制芯片的封装件、以及设于该承载件上以覆盖该具Power MOSFET的封装件的覆盖件,且该具Power MOSFET的封装件热传导至该覆盖件,使该具Power MOSFET的封装件的热能不会传导至该具控制芯片的封装件。
搜索关键词: 线圈 驱动 功能 半导体 封装 结构
【主权项】:
一种具线圈驱动功能的半导体封装结构,其特征在于,包括: 承载件,其具有多条线路; 至少二个具功率金属氧化物半导体场效晶体管的封装件,其设于该承载件上,且各该具功率金属氧化物半导体场效晶体管的封装件具有相对的第一侧与第二侧,该第一侧并电性连接该线路; 至少一具控制芯片的封装件,其设于该承载件上且电性连接该线路;以及 覆盖件,其设于该承载件上且粘贴于该具功率金属氧化物半导体场效晶体管的封装件的第二侧上,以供该具功率金属氧化物半导体场效晶体管的封装件热传导至该覆盖件。
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