[实用新型]具线圈驱动功能的半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装结构，尤指一种具线圈驱动功能的半导体封装结构。

背景技术

传统如直流电压转换器(DC-DC Converter)的电路驱动电路、或马达线圈的驱动均需使用控制器进行控制及供输电压、电流至组件，所以需使用大电流的闸极，因而采用功率金属氧化物半导体场效晶体管(Power Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,Power MOSFET)控制高、低电流。

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturization)的封装需求，所以将多个半导体芯片整合至一封装件中，如第7,932,588、8,299,599、8,564,112及8,633,550号等美国专利中，是将控制芯片与Power MOSFET整合封装成一能够提供大电流的半导体封装件。

如图1所示，上述现有如8,299,599的半导体封装件1包括一导线架10、Power MOSFET组件11、控制芯片12、金属片13、以及封装胶体16。

所述的导线架10具有多个置晶垫101、102与多个围绕该置晶垫101、102的导脚100。

所述的Power MOSFET组件11藉由粘着材17设于该置晶垫101上，且具有多个电性连接垫110、111。

所述的控制芯片12藉由粘着材17设于该置晶垫102上，且具有多个电极垫120、121，以令各该电极垫120、121藉由多条焊线15、15’分别电性连接部分该电性连接垫111与部分该导脚100。

所述的金属片13藉由焊锡材料14焊接至部分该电性连接垫110与部分该导脚100。

所述的封装胶体16包覆该导线架10、Power MOSFET组件11、控制芯片12、金属片13与焊线15、15’。

然而，前述的现有半导体封装件1中，因将该Power MOSFET组件11与控制芯片12封装于单一封装胶体16中，使该半导体封装件1的良率(Final Yield)取决于各作用件的良率相乘(即D1×D2)。例如，该Power MOSFET组件11的良率为95％，该控制芯片12的良率为95％，则该半导体封装件1的良率为85.7％(即为95％×95％)，因而产生有14.3％的不良率(Yield Loss)。

此外，因该Power MOSFET组件11的大电流及高热能的特性，所以需连结该金属片13以传输大电流，因而造成制程复杂。

详细地，于连结该金属片13时，需先回焊该焊锡材料14以焊接该金属片13，再清洗与烘干该金属片13，之后才能设置该控制芯片12于该置晶垫102上、及进行制作焊线15、15’的打线作业，所以回焊、清洗与烘干等作业造成制程复杂，且成本增加。

又，因该Power MOSFET组件11的大电流的特性，使该Power MOSFET组件11的发热量极高，所以将该Power MOSFET组件11与控制芯片12封装于单一封装胶体16中，该Power MOSFET组件11的热能会经由该封装胶体16传导至该控制芯片12，而造成该控制芯片12的温度提高(即使藉由该金属片13进行散热，该控制芯片12的温度仍过高)，而不利于该控制芯片12的运作，导致该半导体封装件1容易故障。

因此，如何避免上述现有技术的种种问题，实为当前所要解决的目标。

实用新型内容

为克服现有技术的种种问题，本实用新型的目的为提供一种具线圈驱动功能的半导体封装结构，因而不会造成该控制芯片的温度过高而使该控制芯片无法运作的问题。

本实用新型的具线圈驱动功能的半导体封装结构，包括：承载件，其具有多条线路；至少二个具Power MOSFET的封装件，其设于该承载件上，且各该具Power MOSFET的封装件具有相对的第一侧与第二侧，该第一侧电性连接该线路；至少一具控制芯片的封装件，其设于该承载件上且电性连接该线路；以及覆盖件，其设于该承载件上且粘贴于该具Power MOSFET的封装件的第二侧上，以供该具Power MOSFET的封装件热传导至该覆盖件。

前述的半导体封装结构中，该具Power MOSFET的封装件还具有包覆该Power MOSFET的封装胶体、及电性连接该Power MOSFET并外露于该封装胶体的外接部。例如，该覆盖件结合至该封装胶体上，以供该封装胶体热传导至该覆盖件。