[发明专利]碳化硅半导体元件以及其制造方法

摘要

一种碳化硅半导体元件以及其制造方法，藉由设置一通道控制区域，并令所述通道控制区域具有一从一第一掺杂边界开始递增，并于所述第一掺杂边界与一第二掺杂边界之间达到一最大值，而后朝所述第二掺杂边界递减的杂质浓度分布，使得所述碳化硅半导体元件，能够在不牺牲临界电压的情况下，降低导通电阻，提升其漏极电流。

主权项

1.一种碳化硅半导体元件，其特征在于，包含有：一具有一第一导电性的第一半导体层；一设置于所述第一半导体层上的第二半导体层；一设置于所述第二半导体层上的绝缘层；一设置于所述绝缘层上的栅电极；一具有一相对所述第一导电性的第二导电性的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域位于所述第一半导体层内并沿着所述第二半导体层，所述第一掺杂区域具有一第一掺杂边界；一具有一第一导电性的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述第一掺杂区域内并沿着所述第二半导体层，所述第二掺杂区域具有一第二掺杂边界；以及一具有一第二导电性的第三掺杂区域，所述第三掺杂区域位于所述第一半导体层内并沿着所述第二半导体层，且所述第三掺杂区域与所述第二掺杂区域相邻并与所述第一掺杂区域部分重叠；其中，所述第一掺杂区域包含一通道控制区域，所述通道控制区域沿着所述第二半导体层并介于所述第一掺杂边界与所述第二掺杂边界之间；其中，所述通道控制区域具有一从所述第一掺杂边界开始递增，并于所述第一掺杂边界与所述第二掺杂边界之间达到一最大值，而后朝所述第二掺杂边界递减的杂质浓度分布；其中，所述第二半导体层具有一杂质浓度，所述杂质浓度于一厚度方向形成一梯度分布；其中，所述梯度分布具有一峰值，所述峰值的位置靠近所述第一半导体层。