[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括：基板、形成栅极和第一连接部的第一金属层、绝缘层、形成源极、漏极和第二连接部的第二金属层、钝化层、导电层以及半导体层；其中，半导体层形成于第二金属层之下，半导体层至少包括位于第二连接部之下的被导电化处理的第二半导体；在第二区域的钝化层和绝缘层包括暴露第一连接部的第一类孔，在第二区域的绝缘层包括暴露第二连接部或第二半导体的第二类孔；导电层分别通过第一类孔连接到第一连接部，通过第二类孔至少连接到第二连接部；本发明能有效防止同时刻蚀深浅孔时，导电层或者金属层被过刻而引起的电连接不稳定的问题，保证阵列基板的电连接稳定性不受影响。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板，所述基板包括第一区域和第二区域；第一金属层，形成于所述基板的一侧，所述第一金属层包括形成在所述第一区域内的栅极和形成在第二区域内的第一连接部；层间绝缘层，形成于所述第一金属层相背于所述基板的一侧；第二金属层，形成于所述层间绝缘层相背于所述基板的一侧，所述第二金属层包括形成在所述第一区域内的源极、漏极和形成在所述第二区域内的第二连接部；半导体层，形成于所述第二金属层相向于所述基板的一侧，所述半导体层包括位于所述第一区域的源极、漏极相向于所述基板的一侧的第一半导体和位于所述第二区域的第二连接部相向于所述基板的一侧的被导电化处理的第二半导体；钝化层，形成于所述第二金属层相背于所述基板的一侧；在所述第二区域的所述钝化层和所述层间绝缘层包括暴露所述第一连接部的第一类孔，在所述第二区域的所述层间绝缘层包括暴露所述第二半导体的第二类孔；导电层，形成于所述钝化层相背于所述基板的一侧，所述导电层分别通过所述第一类孔连接到所述第一连接部，通过所述第二类孔连接到所述第二连接部和所述第二半导体被导电化处理的区域；所述第一区域具有顶栅型结构TFT，所述层间绝缘层覆盖第一区域内的栅极、并形成于第二区域内第一类孔周围的第一连接部和钝化层之间、第二类孔周围的第二半导体和第二连接部之间；所述第一半导体位于所述栅极与所述基板之间，所述第二半导体与所述第二连接部在所述第二类孔区域内通过穿透所述层间绝缘层的过孔直接接触；所述阵列基板还包括形成于所述栅极与第一半导体之间以及所述第一连接部与基板之间的绝缘层，所述第一半导体未被所述栅极和绝缘层遮盖的区域被导电化处理，所述源极、漏极分别连接到所述第一半导体被导电化处理的区域。