[发明专利]半导体元件的制作以及检测方法在审
| 申请号： | 201410697104.2 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105590876A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 林志峰;车行远 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件的制作以及检测方法，包括提供半导体基板，其包括元件区域和周边区域。接着，在元件区域内形成第一几何单元，并于周边区域形成多个第二几何单元，其中各第二几何单元的临界尺寸相等于第一几何单元的临界尺寸。之后，全面沉积一介电层，以同时覆盖住第一几何单元和各第二几何单元。最后，在介电层上形成焊接垫，其中焊接垫位于第二几何单元的正上方。其中在形成第二几何单元之后，会对第二几何单元进行缺陷检测。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作 以及 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制作以及检测方法，包括：提供一半导体基板，其包括一元件区域和一周边区域；在该元件区域内的该半导体基板上形成一第一几何单元；在该周边区域的该半导体基板上形成多个第二几何单元，其中各该第二几何单元的临界尺寸(critical dimension)相等于该第一几何单元的临界尺寸；全面沉积一介电层，以同时覆盖住该第一几何单元和各该第二几何单元；在该介电层上形成一焊接垫，其中该焊接垫位于该些第二几何单元的正上方；以及对该些第二几何单元进行一缺陷检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
