[发明专利]半导体元件的制作以及检测方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作以及检测方法，包括：

提供一半导体基板，其包括一元件区域和一周边区域；

在该元件区域内的该半导体基板上形成一第一几何单元；

在该周边区域的该半导体基板上形成多个第二几何单元，其中各该第二 几何单元的临界尺寸(criticaldimension)相等于该第一几何单元的临界尺寸；

全面沉积一介电层，以同时覆盖住该第一几何单元和各该第二几何单 元；

在该介电层上形成一焊接垫，其中该焊接垫位于该些第二几何单元的正 上方；以及

对该些第二几何单元进行一缺陷检测。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中该周边区 域环绕该元件区域。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中该第一几 何单元和各该第二几何单元分别包括多个次几何单元。

4.如权利要求3所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中各该次几 何单元间具有一分离区域，且各该分离区域的尺寸对应至该临界尺寸。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中该第一几 何单元的外观轮廓相同于各该第二几何单元的外观轮廓。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中形成该第 一几何单元以及各该第二几何单元步骤包括：

依序在该半导体基板上沉积一氧化层、一导电层以及一盖层；以及

进行一蚀刻制作工艺，以依序图案化该盖层、该导电层以及该氧化层。

7.如权利要求6所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中在形成该 第一几何单元以及各该第二几何单元时，会同时于该半导体基板上形成一蚀 刻残留物。

8.如权利要求6所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中该蚀刻残 留物会被该介电层覆盖。

9.如权利要求6所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中该第一几 何单元为一栅极结构。

10.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，还包括：

在该第一几何单元的覆盖下施行一离子注入制作工艺，以于该半导体基 板内形成多个掺杂区。

11.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中各该第 二几何单元处于电浮置状态。

12.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，在形成该介 电层前，还包括施行一检测步骤，以判断各该第二几何单元的图案轮廓是否 位于制作工艺容许值内。

13.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，其中该周边 区包括一块状区域，该些第二几何单元周期性排列于该块状区域内。

14.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，还包括：

在该半导体基板上形成一浅沟槽绝缘结构；以及

在该浅沟槽绝缘结构上形成该些第二几何单元。

15.如权利要求1所述的半导体元件的制作以及检测方法，还包括一环 绕该周边区域的切割道。