[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201410586357.2 | 申请日: | 2014-10-24 |
公开(公告)号: | CN104362211A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 张林;王进;任明冲;谷士斌;何延如;杨荣;李立伟;郭铁;孟原 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/077 | 分类号: | H01L31/077;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,通过在p型非晶硅薄膜表面形成特定的金属薄膜,以及在所述金属薄膜表面形成第二导电薄膜,制作了P型非晶硅/金属薄膜层/TCO界面结构的异质结太阳能电池,使TCO/金属薄膜层/P型非晶硅结构中的界面为欧姆接触,与传统P型非晶硅/TCO界面结构的异质结太阳能电池相比,降低了TCO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻,从而降低电池串联电阻,有利于提升电池的填充因子。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括:在硅衬底的背面依次形成的第一i型本征非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜、第一导电薄膜和背面金属电极;在所述硅衬底的正面依次形成的第二i型本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜、在所述p型非晶硅薄膜表面形成的金属薄膜,以及在所述金属薄膜表面形成的第二导电薄膜和所述第二导电薄膜上的正面金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的