[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

在硅衬底的背面依次形成的第一i型本征非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜、第一导电薄膜和背面金属电极；

在所述硅衬底的正面依次形成的第二i型本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜、在所述p型非晶硅薄膜表面形成的金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成的第二导电薄膜和所述第二导电薄膜上的正面金属电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜的功函数大于所述p型非晶硅薄膜。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜是采用磁控溅射、热蒸发沉积或分子束外延的方式形成的。

4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为0.1-10nm。

5.如权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅衬底的背面依次形成的所述第一i型本征非晶硅薄膜、所述n型非晶硅薄膜是采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式形成的。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅衬底的正面依次形成的所述第二i型本征非晶硅薄膜、所述p型非晶硅薄膜是采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式形成的。

8.一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底的背面形成第一i型本征非晶硅薄膜，在所述i型本征非晶硅薄膜表面形成n型非晶硅薄膜；

在所述硅衬底的正面形成第二i型本征非晶硅薄膜，在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成p型非晶硅薄膜；

在所述n型非晶硅薄膜表面形成第一导电薄膜以及在所述第一导电薄膜的表面形成背面金属电极；

在所述p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，在所述金属薄膜表面形成第二导电薄膜，以及在所述第二导电薄膜表面形成正面金属电极。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述p型非晶硅薄膜表面形成的所述金属薄膜的功函数大于所述p型非晶硅薄膜。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，采用磁控溅射、热丝蒸发沉积或分子束外延方式在所述p型非晶硅薄膜表面形成所述金属薄膜。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为0.1-10nm。

12.如权利要求8-11任一项所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在所述硅衬底背面形成所述第一i型本征非晶硅薄膜以及在所述第一i型本征非晶硅薄膜表面形成所述n型非晶硅薄膜。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在所述硅衬底正面形成所述第二i型本征非晶硅薄膜以及在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成所述p型非晶硅薄膜。