[发明专利]一种FinFET器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410475129.8 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105428238B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件及其制作方法和电子装置，包括：提供由自下而上层叠的硅基体、掩埋氧化物层和第一半导体材料层构成的衬底；在第一半导体材料层上形成具有鳍片图案的硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀去除部分第一半导体材料层；在图案化的第一半导体材料层和硬掩膜层的侧壁上形成侧墙；对侧墙两侧露出的第一半导体材料层执行倾斜氧离子注入；执行退火处理，形成氧化物扩散区；去除氧化物扩散区，形成沟槽；刻蚀去除未被硬掩膜层和侧墙遮蔽的第一半导体材料层，露出下方的掩埋氧化物层；去除硬掩膜层和侧墙，以形成侧面具有开口朝向外侧的凹槽的鳍片。根据上述方法，在鳍片的侧壁上形成开口朝向外侧的凹槽，有效地提升Fin的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的制作方法，包括：提供由自下而上层叠的硅基体、掩埋氧化物层和第一半导体材料层构成的衬底；在所述第一半导体材料层上形成具有鳍片图案的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀去除部分所述第一半导体材料层；在图案化的所述第一半导体材料层和所述硬掩膜层的侧壁上形成侧墙；对所述侧墙两侧露出的所述第一半导体材料层执行相对于所述第一半导体材料层的表面具有第一倾斜夹角的氧离子注入；执行退火处理，以在所述第一半导体材料层内形成氧化物扩散区；去除所述氧化物扩散区，以在所述第一半导体材料层中形成沟槽；刻蚀去除未被所述硬掩膜层和所述侧墙遮蔽的所述第一半导体材料层，露出下方的所述掩埋氧化物层；去除所述硬掩膜层和所述侧墙，以形成侧面具有开口朝向外侧的凹槽的鳍片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410475129.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体堆叠封装方法
- 下一篇：一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
