[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410438573.2 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105374774A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和第二晶圆均包括基底，位于所述基底上的层间介电层和位于所述层间介电层内的接合焊盘，所述接合焊盘与层间介电层之间形成有阻挡层，其中所述第一晶圆和/或所述第二晶圆的所述阻挡层延伸至部分所述层间介电层的表面上；进行键合工艺，以将所述第一晶圆和所述第二晶圆接合。根据本发明的制作方法，使用延伸至层间介电层表面上的阻挡层替代了部分接合焊盘，在晶圆键合之后，当两片晶圆水平面内的位置偏移变化时，可减小铜金属延展的长度，同时可以阻止铜扩散现象的产生，进而提高器件的键合质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和第二晶圆均包括基底，位于所述基底上的层间介电层和位于所述层间介电层内的接合焊盘，所述接合焊盘与层间介电层之间形成有阻挡层，其中所述第一晶圆和/或所述第二晶圆的所述阻挡层延伸至部分所述层间介电层的表面上；进行键合工艺，以将所述第一晶圆和所述第二晶圆接合。
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