[发明专利]半导体装置、制造多个芯片组件和制造半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201410417592.7 申请日: 2014-08-22
公开(公告)号: CN104465566B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: G.比尔;E.菲尔古特;J.赫格尔;O.霍尔费尔德;P.坎沙特 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60;H01L21/58
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 卢江,胡莉莉
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置、制造多个芯片组件和制造半导体装置的方法。公开了具有上接触板、下接触板和多个芯片组件的半导体装置。每个芯片组件具有有半导体本体的半导体芯片,该半导体本体具有上侧和与上侧相对的下侧;上侧上的上主电极;下侧上的下主电极;导电的上和下补偿小板,分别被布置在上和下主电极的背离半导体本体的侧上并且借助上和下连接层与上和下主电极以材料决定的方式并且导电连接;以及介电填料,在侧面环绕地环状地包围半导体芯片,使得上和下补偿小板的背离半导体本体的侧分别不完全被填料覆盖。每个芯片组件被布置在上和下接触板之间,使得在该芯片组件中上和下补偿小板的背离半导体本体的侧分别电并且机械接触上和下接触板。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 芯片 组件 方法
【主权项】:
半导体装置,包括:上接触板(41)和下接触板(42);多个芯片组件(3),所述芯片组件中的每一个具有:-具有半导体本体(10)的半导体芯片(1),其中所述半导体本体(10)具有上侧和与所述上侧相对的下侧;-被布置在所述上侧上的上主电极(11);-被布置在所述下侧上的下主电极(12);-导电的上补偿小板(21),所述上补偿小板被布置在所述上主电极(11)的背离所述半导体本体(10)的侧上并且借助上连接层(31)与所述上主电极以材料决定的方式并且导电地连接;-导电的下补偿小板(22),所述下补偿小板被布置在所述下主电极(12)的背离所述半导体本体(10)的侧上并且借助下连接层(32)与所述下主电极以材料决定的方式并且导电地连接;以及-介电的填料(4),所述填料在侧面环绕地环状地包围所述半导体芯片(1),使得所述上补偿小板(21)的背离所述半导体本体(10)的侧和所述下补偿小板(22)的背离所述半导体本体(10)的侧至少不完全被所述填料(4)覆盖并且由此裸露;其中所述芯片组件(3)中的每一个被布置在所述上接触板(41)和所述下接触板(42)之间,使得在这些芯片组件(3)中-所述上补偿小板(21)的背离所述半导体本体(10)的侧电并且机械接触所述上接触板(41);-所述下补偿小板(22)的背离所述半导体本体(10)的侧电并且机械接触所述下接触板(42)。
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