[发明专利]沟槽型MOSFET的制作方法、沟槽型MOSFET及半导体器件在审
| 申请号： | 201410370501.9 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448720A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽型MOSFET的制作方法、沟槽型MOSFET及半导体器件。其中，该制作方法包括以下步骤：在半导体基体中形成沟槽；对沟槽进行离子注入以在沟槽底部的半导体基体中形成离子注入区，且注入离子的导电类型与半导体基体的导电类型相反；在沟槽中形成栅极结构。在该制作方法中，由于注入离子的导电类型与半导体基体的导电类型相反，因此该注入离子能够降低沟槽底部位置的电场强度，并能够将高电场强度区从沟槽底部位置转移到离子注入区中远离沟槽底部的位置，从而减少了栅极与半导体之间由于高电场强度导致的漏电流，进而提高了沟槽型MOSFET的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽型MOSFET的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在半导体基体中形成沟槽；对所述沟槽进行离子注入以在所述沟槽底部的所述半导体基体中形成离子注入区，且注入离子的导电类型与所述半导体基体的导电类型相反；在所述沟槽中形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
