[发明专利]沟槽型MOSFET的制作方法、沟槽型MOSFET及半导体器件在审
| 申请号： | 201410370501.9 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448720A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 制作方法 半导体器件 | ||
1.一种沟槽型MOSFET的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
在半导体基体中形成沟槽；
对所述沟槽进行离子注入以在所述沟槽底部的所述半导体基体中形成离子注入区，且注入离子的导电类型与所述半导体基体的导电类型相反；
在所述沟槽中形成栅极结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体基体为N型单晶硅，所述注入离子为硼离子。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入的步骤中，所述注入离子的剂量为5E+11～5E+12atoms/cm2，所述注入离子的能量为40～80KeV。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入的步骤中，所述注入离子的剂量为5E+12atoms/cm2，所述注入离子的能量为60KeV。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述离子注入的步骤中，形成高度为所述沟槽高度的1/20～1/10的所述离子注入区。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅极结构的步骤包括：
在所述沟槽的内壁上形成栅氧化物层；
在所述沟槽中、所述栅氧化物层上沉积多晶硅以形成栅极。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
形成所述沟槽的步骤包括：在所述半导体基体的表面上形成掩膜层，然后刻蚀所述掩膜层和所述半导体基体以形成所述沟槽；
在形成所述栅极结构之后，去除所述掩膜层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成所述掩膜层之前，在所述半导体基体中靠近所述沟槽顶部的位置形成源极，在所述半导体基体中远离所述沟槽的一侧形成漏极。
9.一种沟槽型MOSFET，其特征在于，所述沟槽型MOSFET由权利要求1至8中任一项所述的制作方法制作而成。
10.一种半导体器件，包括至少一个所述沟槽型MOSFET，其特征在于，所述沟槽型MOSFET由权利要求1至8中任一项所述的制作方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
