[发明专利]一种半导体基板的刻蚀装置和方法在审
| 申请号： | 201410235904.2 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105225981A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 仰庶;王晖;陈福平;张晓燕 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体刻蚀工艺是一种通过物理化学反应来移除基板表面物质的工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。由于刻蚀工艺对机台设备的要求相对较低，工艺也比较简单，所以在半导体加工行业中得到了广泛地应用。但是，如何控制湿法刻蚀中的刻蚀速率一直是行业内公认的技术难点。本发明提供的基板刻蚀装置具有厚度检测模块，通过测量基板的厚度来调节刻蚀速率，达到了很好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板刻蚀装置，包括机台主体，基板装载端口，传送单元，药液供给系统和计算机系统，其特征在于：所述基板刻蚀装置进一步设有刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内至少搭载有一个基板厚度检测模块，能够测量并反馈整个基板的厚度数据或基板某一区域的厚度数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
