[发明专利]用于处理半导体工件的设备有效
| 申请号： | 201410234927.1 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104217943B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 奥立佛·安塞尔;布莱恩·基尔南;托比·杰佛里;马克西姆·瓦瓦拉 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，提供一种用于处理半导体工件的设备，包括：第一室，其具有第一等离子体产生源和用于将气体供应引入所述第一室的第一气体供应部；第二室，其具有第二等离子体产生源和用于将气体供应引入所述第二室的第二气体供应部，所述第二气体供应部与所述第一气体供应部能相互独立地控制；置于所述第二室中的工件支承件；以及多个气流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上时邻近所述工件的气流通路，其中所述气流通路限定元件包括用于保护晶片边缘和/或在晶片边缘周围向外的区域的至少一个晶片边缘区域保护元件以及与所述晶片边缘区域保护元件间隔开以限定所述气流通路的至少一个辅助元件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 工件 设备 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体工件的设备，包括：第一室，其具有第一等离子体产生源和用于将气体供应引入所述第一室的第一气体供应部；第二室，其具有第二等离子体产生源和用于将气体供应引入所述第二室的第二气体供应部，所述第二气体供应部与所述第一气体供应部能相互独立地控制；置于所述第二室中的工件支承件；以及多个气流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上时邻近所述工件的气流通路，其中所述气流通路限定元件包括用于保护晶片边缘和/或在晶片边缘周围向外的区域的至少一个晶片边缘区域保护元件以及与所述晶片边缘区域保护元件间隔开以限定所述气流通路的至少一个辅助元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
